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(650V)IMW65R107M1HXKSA1(1700V)IMBF170R1K0M1碳化硅MOSFET

产品概述 1、IMW65R107M1HXKSA1  650V CoolSiCTM MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术,并经过优化,在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,以提供经济高效的性能。 2、IMBF170R1K0M1 1700V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用

PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

图片 商品型号 制造商 描述 关键参数 HSSR-DA01 华联 光MOS输出型光耦 数据手册 封装形式:DIP8 负载电压:400V 连续通态电流:120mA 通道数:2 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 HSSR-DA01-2 华联 光MOS输出型光耦 数据手册 封装形式:SOP8 负载电

MOS电路-栅源电压保护,漏栅电容影响

栅极-源极尖峰电压保护 在 MOSFET 的栅极和源极之间添加一个外部齐纳二极管,可以有效防止发生静电放电和栅极尖峰电压。但是,齐纳二极管的电容可能有轻微的不良影响。     最佳栅极电阻器 开关速度根据栅极电阻器值而有所不同。增大栅极电阻器值会降低MOSFET 的开关速度,并增大其

开关电源技术NCP451FCT2G负载开关_TPS568230RJER稳压器

1、NCP451FCT2G  3A 超小型低导通电流和可控负载开关 NCP451 是一个非常低的 Ron MOSFET,由外部控制逻辑引脚,允许优化电池寿命和便携式设备自治。实际上,由于使用 NMOS 优化了电流消耗结构,漏电流通过隔离连接的IC上消除不使用时的电池。还嵌入了输出放电路径以消除残留输出轨上的电

基于 MAX3421EETJ+T MFI343S00177 NCP302155AMNTWG 集成电路 IC 应用 规格书

基于 MAX3421EETJ+T MFI343S00177 NCP302155AMNTWG 集成电路 IC 应用 规格书 1、MAX3421E USB外设/主机控制器包含数字逻辑和必要的模拟电路实现一个全速USB外设或全速/低主机速度符合USB规范2.0版。一内置收发器具有± 15kV ESD保护和可编程的USB连接和断开。一个跨最终串行接口

ROHM 第4 代SiC MOSFET 在电动汽车电控系统中的应用及其优势

ROHM 第4 代SiC MOSFET 在电动汽车电控系统中的应用及其优势 n引言 近年来,为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标,需要进一步普及下一代电动汽车(xEV),从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车(EV)领域,为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸,提高发挥驱

什么是 FinFET

  什么是 FET?   FET 的全名是“场效电晶体(Field Effect Transistor,FET)”,先从大家较耳熟能详的“MOS”来说明。MOS 的全名是“金属-氧化物-半导体场效电晶体(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)”,构造如图一所示,左边灰色的区域(矽)叫做“源极(Source)”,右边灰色

功率半导体介绍

功率半导体介绍 “半导体”,指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。 能够将交流电转为直流电——“整流”、增大电信号——“增幅”、导通或者阻断电——“开关”等。      功率半导体是能够支持高电压、大电流的半导体。具有不同于一般半导体的结

AC/DC 转换器

ROHM | 开发出 45W 输出、内置 FET 的小型表贴封装AC/DC 转换器 IC“BM2P06xMF-Z”  2021-12-22 11:33:28  48  ROHM , 转换器 , BM2P06xMF-Z 系列 全球知名半导体制造商罗姆面向空调、白色家电、FA 设备等配备交流电源的家电和工业设备领域,开发出内置 730V 耐压 MOSFE

IM2603应用于Type-C拓展坞外围集成Buck变换器的电源管理芯片

IM2603 概述 用于带有集成降压转换器的 Type-C 外围应用的电源管理 IC IM2603 是一款主要用于 Type-C 外围应用的电源管理 IC。 它集成了一个带有内置高侧 MOSFET 的同步降压转换器和一个用于可选低侧外部 MOSFET 的栅极驱动器。 如果输入电压 VIN 降低到接近 VOUT 的电压,则进入

MK9016F——0.6A,100V,1MHz降压DCDC

详情介绍:         MK9016F支持4.5V-100V宽范围的输入。其集成了主功率MOSFET和同步MOSFET,可以支持0.6A的输出电流。该款变换器采用了COT的控制架构,可以实现极好的负载和线性的动态响应。采用了自有专利的设计电路,既可以保证MK9016F拥有超低的待机功耗,同时可以快速退出待机模

IM2603资料 Type-C 扩展坞电源管理芯片

用于带有集成降压转换器的 Type-C 外围应用的电源管理 IC IM2603 是一款主要用于 Type-C 外围应用的电源管理 IC。 它集成了一个带有内置高侧 MOSFET 的同步降压转换器和一个用于可选低侧外部 MOSFET 的栅极驱动器。 如果输入电压 VIN 降低到接近 VOUT 的电压,则进入低压差操作,占空

第三代电力电子半导体:SiC MOSFET学习笔记(三)SiC驱动方案

如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片?(英飞凌官方) 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同,并且其通常工作在高频应用环境中, 为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片,需要考虑如下几个方面: 驱动电平与驱动电流的要求 首先,由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合,其

DIY桌面机械臂__FOC电机驱动_p3

# DIY桌面机械臂__FOC电机驱动器(#003) 更新 2021 - 9 - 16 第二版电机驱动器与模型设计完工,给出装配的图片与测试结果: 第二次设计将驱动器换成了MOSFET加栅极驱动器的模式,采用STM32F1的定时器1的互补pwm配置模式,实现高低侧的mosfet驱动。 测试结果 装配效果图 紧凑型的安

功率 MOSFET 的开通和关断过程

1. 开通和关断过程实验电路 2. MOSFET 的电压和电流波形 3. 开关过程原理 开通过程[ t0 ~ t4 ]: – 在 t0 前, MOSFET 工作于截止状态, t0 时, MOSFET 被驱动开通; – [t0-t1]区间, MOSFET 的 GS 电压经 Vgg 对 Cgs 充电而上升,在 t1 时刻,到达维持电压 Vth,MOSFET 开始导电; – [t1-

P15 MOSFET伏安特性和静态分析

   Ugs的工作在小于0大于夹断电压。本图夹断电压为-3V        

MOSFET详解

        MOSFET愿意:MOS(Metal Oxide Semiconductor精神氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的 栅极隔着氧化物(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。         但随半导体技术的进步,现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。

模电—初探MOSFET

金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET) N沟道增强型MOSFET结构及电路符号工作原理I-V特性曲线 N沟道耗尽型场效应管结构与电路符号工作原理简述I-V特性曲线 N型MOS管的主要参数直流参数交流参数极限参数 P沟道MOSFETP沟道增强型MOS管 几种FET管子总结饱和区(放大区)外加电压极性

【转】看完这篇,请不要再说不懂MOSFET

来源:转载自【宽禁带半导体技术创新联盟】,谢谢 功率半导体器件在工业 、消费 、军事等领域都有着广泛应用 ,具有很高的战略地位,下面我们从一张图看功率器件的全貌:   功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型 、半控型及不可;或按驱动电路信号 性质分为电压驱动型 、电流

MOSFET知识点

一、目前常用的都是绝缘栅增强型。 二、3个极性 栅极(gate electrode),门的意思。 源极(source electrode),电源。 漏极(drain electrode),排出,泄露的意思。 三、3个极怎么判断 G极比较好判断 S极:不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是S极。 D极:不论P沟道还是N沟道,单独引线的那条

MOSFET | 如何看懂MOSFET手册?①

转自:http://news.eeworld.com.cn/mp/dzyjbj/a64706.jspx Features and Description     ■ Features主要讲的是这颗IC的典型参数,IC厂家一般会在这里把他们引以为豪的指标也写出来,虽然有时候对你的设计并没什么用。下面逐一解释:   1.9A,600V:表示MOSFET在常温下的通流能力为1

PW2320芯片N沟道增强型MOSFET

    PW2320采用先进的沟道技术,以提供优良的RDS(ON),低栅电荷和电压门极电压低至2.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他开关应用中。 特征 VDS=20V ID=8A RDS(开)<12mΩ@VGS=4.5V SOTA 3针封装     绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)       PW3400A采用先进的沟道技术

PWM脉冲调制直流电机的simulink仿真

PWM脉冲调制直流电机的simulink仿真 仿真模型构建电机原理H桥原理方向信号控制原理电机驱动模块原理PWM生成原理电机仿真总模型 simulink源文件供下载 仿真模型构建 电机原理 直流电机的4个动态特性方程式分别为: 对上述式子去拉普拉斯变换并整理得: 其中

Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT动态参数测试

1、功能范围: EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向

基于my-DAQ的温室迷你温室设计

这是一个小项目,采用NI的my-DAQ做数据采集,需要采集的数据有温度(LM35),气体(MQ2),需要控制的设备有风扇、加热棒,另外还有光照亮度调节。 一、数据采集 1.LM35 LM35是模拟输出的温度监控芯片,其输出电压和摄氏温度成线性比列关系,本项目采用的是TO92封装的LM35D,温度监测范围为0~100℃,工作电