PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
作者：互联网
| 图片 | 商品型号 | 制造商 | 描述 | 关键参数 |
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HSSR-DA01 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP8 负载电压:400V 连续通态电流:120mA 通道数:2 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-DA01-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP8 负载电压:400V 连续通态电流:120mA 通道数:2 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-DA04 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP8 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:2 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-DA04-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP8 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:2 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-DA05 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP8 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:2 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-DA05-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP8 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:2 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-41A01 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP4 负载电压:400V 连续通态电流:120mA 通道数:1 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-41A01-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:400V 连续通态电流:120mA 通道数:1 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-41A04 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP4 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-41A04-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-41A05 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP4 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:1 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-41A05-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:1 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-61A01 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP6 负载电压:400V 连续通态电流:130mA 通道数:1 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-61A01-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP6 负载电压:400V 连续通态电流:130mA 通道数:1 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-61A04 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP6 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-61A04-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP6 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-61A05 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP6 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:1 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-61A05-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP6 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:1 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSSR-S1A0A-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:30V 连续通态电流:1800mA 通道数:1 最大导通电阻:100Ω 工作温度:-40~105℃ 介质耐压:3750 |
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HSSR-S1A01-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:400V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~105℃ 介质耐压:3750 |
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HSSR-S1A04-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:20Ω 工作温度:-40~105℃ 介质耐压:3750 |
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HSSR-S1A05-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:1 最大导通电阻:0.5Ω 工作温度:-40~105℃ 介质耐压:3750 |
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HSSR-S1A08-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:60V 连续通态电流:800mA 通道数:1 最大导通电阻:0.5Ω 工作温度:-40~105℃ 介质耐压:3750 |
数据手册标签：HSSR,MOSFET,PhotoMOS,MOS,型光,导通,通态,40,耦合 来源： https://www.cnblogs.com/icaowu/p/16607192.html