(650V)IMW65R107M1HXKSA1(1700V)IMBF170R1K0M1碳化硅MOSFET

产品概述

1、IMW65R107M1HXKSA1  650V CoolSiCTM MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。

2、IMBF170R1K0M1 1700V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600V至1000V的辅助电源。

规格资料

1、参数：IMW65R107M1HXKSA1 /IMW65R107M1H
FET 类型：N沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：650 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：107 mΩ
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：75 W
工作温度：-55 °C  ~ 150 °C
封装：TO247-3  
基本产品编号：IMW65R107

2、参数：IMBF170R1K0M1 /IMBF170R1K0M1XTMA1 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1000毫欧 @ 1A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5 nC @ 12 V
Vgs（最大值）：+20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：275 pF @ 1000 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：68W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7-13
封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

(650V)IMW65R107M1HXKSA1(1700V)IMBF170R1K0M1碳化硅MOSFET
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