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(650V)IMW65R107M1HXKSA1(1700V)IMBF170R1K0M1碳化硅MOSFET
产品概述 1、IMW65R107M1HXKSA1 650V CoolSiCTM MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。 2、IMBF170R1K0M1 1700V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用