PW2320芯片N沟道增强型MOSFET

PW2320采用先进的沟道技术，以提供优良的RDS（ON），低栅电荷和电压门极电压低至2.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他开关应用中。

特征

VDS=20V ID=8A

RDS（开）<12mΩ@VGS=4.5V

SOTA 3针封装

绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）

PW3400A采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中。

PW3428采用先进的沟槽技术，以提供优良的无线电数据系统（开），低栅电荷和电压门极电压低至4.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他交换应用中。

PW3467采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷和低功耗门极电压低至4.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他交换应用中。

标签：MOSFET,电压,RDS,电荷,沟道,低栅,PW2320,低至
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