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电磁场相关基础概念
构成物质的基本单元是原子，原子由电子和原子核构成，核又由质子和中子构成。 电子带负电荷，质子带正电荷，中子不带电。 电荷是电子的一种属性。 自然界中的电荷是守恒的，所谓带电只是物体的电荷发生了转移后造成的现象。 静止的电荷产生电场，电场线起于正电荷，止于负电荷；电荷同性相斥，异性【C# 计算机组成原理】 cpu运作和认识各个硬件部件
存储单元用电容器：电容器存储电荷 ， 1个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1，而“空”的电容器则是0。电容器不能持久的保持储存的电荷，所以内存需要不断定时刷新，才能保持暂存的数据。内存有1％的时间要用来刷新 以下详细解释程序如何运作的 1、如蛋白质组学数据分析基础（2）
说明：此篇笔记系2016-2017年由克里克学院与康昱盛主办的蛋白质组学网络大课堂整理而成，侵删。该课程由上海易算生物科技有限公司CEO沈诚频博士所授。 主要知识点： --同位素对质谱分析的影响 --原始谱图的处理 --什么是b-y离子 回顾 image 在接着讲今天的关键问题之前，我们先CMOS传感器简介
CMOS传感器简介 图像传感器主要有两类，即CCD(Charge Coupled Device,电荷耦合器件)和CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)。CCD传感器和CMOS传感器都是将光线(光子)转换成电子信号(电子)。 CCD和CMOS成像器都是利用光电效应通过光产生电子信【模电】电容屏原理
1、表面电容式触摸屏 参考视频：https://www.bilibili.com/video/av25429352，感谢李永乐老师通俗易懂的科普。 表面式电容屏有个氧化铟锡（ITO）层（透明的导体层），该层有4个电极（在长方形的四个角），每个电极可以产生交流电压，ITO层的上一层是一个（透明的）绝缘层，（手指）触摸位置什么是IR/EM
什么是IR/EM IR压降（IR-Drop） IR压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象。随着半导体工艺的演进金属互连线的宽度越来越窄，导致它的电阻值上升，所以在整个芯片范围内将存在一定的IR压降。IR压降的大小决定于从电源PAD到所计算的逻辑门单元之间的等传感器技术—压电式传感器（学习笔记八）
压电式传感器 6.1 压电效应和压电材料6.1.1 压电效应6.1.2 压电材料 6.2 压电式传感器的测量转换电路6.2.1 压电式传感器的等效电路6.2.2 压电式传感器的测量电路 6.3 压电式传感器的应用6.3.1 压电式力传感器6.3.2 压电式加速度传感器6.3.3 弯曲式压电加速度传感器6.3.4TOF深度相机测距的具体方法
TOF深度相机测距的具体方法 因为最近跟着老师做相关研究，翻了很多文章没有找比较清楚的方法总结，今天理出一点头绪稍微对自己的进度总结一下。（可能会有错误，欢迎指出） *测距的中心思想：距离=速度时间 因为飞行时间测距采用的是光脉冲（信号），速度即为光速 c 一、直接法（脉冲法）电磁学8.磁场中的运动电荷
电子伏 假设有两个导体，都是等势体，导体A的电势为 \(V_A\) ,导体B的电势为 \(V_B\) ,\(V_A>V_B\) 。两个导体处于正空中，在导体A表面释放一个正电荷 \(+q\) ,在电场作用下电荷向B移动，电场分布异常复杂，但最终会到达B。 问题是：如果以初始速度为0释放，到达B时速度是多少？ 电场对电荷做功，因电磁学7.磁场与洛伦兹力
磁场 磁场和电场类似，磁场是一种看不见、摸不着的特殊物质，磁场不是由原子或分子组成的，但磁场是客观存在的。磁场具有波粒的辐射特性。磁体周围存在磁场，磁体间的相互作用就是以磁场作为媒介的，所以两磁体不用接触就能发生作用。电流、运动电荷、磁体或变化电场周围空间存在的一种特殊静电的产生原因
静电是一种处于静止状态的电荷。在干燥和多风的秋天，在日常生活中，人们常常会碰到这种现象：晚上脱衣服睡觉时，黑暗中常听到噼啪的声响，而且伴有蓝光；见面握手时，手指刚一接触到对方，会突然感到指尖针刺般刺痛，令人大惊失色；早上起来梳头时，头发会经常“飘”起来，越理越乱；拉门把手、开水龙头电磁学5.场能密度、电容与介电常数
场能密度 假设有两个平行板，上面一块带正电荷 \(+Q=\text{\)\sigma \(A}\)，下面带负电荷 \(-Q=-\text{\)\sigma \(A}\) $\sigma $ 为电荷密度，\(A\) 为表面积。两块板距离为 \(h\) 。 电场接近恒定（在对称原则下，可以使用高斯定理，\(EA=Q/\epsilon _0\)，板外电场处处为0），电场大小为 \[EPW2320芯片N沟道增强型MOSFET
PW2320采用先进的沟道技术，以提供优良的RDS（ON），低栅电荷和电压门极电压低至2.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他开关应用中。 特征 VDS=20V ID=8A RDS（开）<12mΩ@VGS=4.5V SOTA 3针封装 绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明） PW3400A采用先进的沟道技术三和贴片型铝电解电容器160v22μf 125度高温度
说到电容器，大家都知道，这是属于在电子产品设施当中使用最广非常重要的部件之一，通常是串联制造的。 为了便于电路设计者的选择，电容器根据其工作电压和容量串联布置。 因此，电容器也称为通用电子元件。 电容器通过将负载存储在电极中并保持电能（通常与电容器组合）来工作，以形[Fundamental of Power Electronics]-PART I-4.开关实现-4.3 开关损耗/4.4 小结
4.3 开关损耗/4.4 小结 使用半导体器件实现开关后，我们现在可以讨论变换器中损耗和低效的另一个主要来源:开关损耗。如前所述，半导体器件的导通和关断转换需要几十纳秒到几微秒的时间。在这些开关转换期间，半导体器件中可能会出现非常大的瞬时功率损耗。尽管半导体开关时间很短，产生的电生磁——常见模型
目录1. 长直通电导线的磁场2. 通电圆线圈轴线的磁场3. 直螺线管轴线的磁场4. 运动电荷的磁场 1. 长直通电导线的磁场 图示 磁感应强度大小 2. 通电圆线圈轴线的磁场 图示 磁感应强度大小 3. 直螺线管轴线的磁场 N个通电圆线圈的叠加 图示 磁感应强度大小 n：N/l，数学的回忆（二）——麦克斯韦方程
0.背景起源 1820年，奥斯特在一次讲座上偶然发现通电的导线让旁边的小磁针偏转了一下，这个微小的现象并没有引起听众的注意，但是可把奥斯特给高兴坏了。他立马针对这个现象进行了三个月的穷追猛打，最后发现了电流的磁效应，也就是说电流也能像磁铁一样影响周围的小磁针。奥斯特只是物理选修3-1 电场,电场强度和电场线
电场 电荷的周围存在电场,场是物质的一种存在形式 电场强度 检验电荷 用来检验电场是否存在及其强弱分布情况的电荷,特点是体积小,电荷量小,不会对研究造成任何影响 场源电荷 被检验的电场是由电荷Q所激发的,则电荷Q称为场源电荷 电场强度 比值定义:$E=frac{F}{q}$,单位洛伦磁力、安培力
洛伦兹力是微观上的，安培力是宏观上的。 洛伦兹力是磁场对运动中的带电粒子的作用力，是对单个带电粒子而言； 安培力是磁场对通电导线的作用力，是对整个在磁场中的导线而言。 磁场会对通电导线有安培力的作用是因为通电导线中有很多运动的电荷；安培力，正是磁场对所有这些电荷的洛伦兹力大学物理-第九章静电场（电通量 、高斯定理）
文章目录电通量电力线性质计算高斯定理定义三种分析场景理解应用 电通量 电力线性质 不闭合，不中断，起于正电荷、止于负电荷 任何两条电力线不相交 计算 通过电场中某一面的电力线数 方向相同去矢量符号 另外两种复杂情况 高斯定理 定义 在真空中的任意静电场中，通