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SF1602-MHCHXM（海矽美）快恢复二极管SF1602

编辑：ll SF1602-MHCHXM（海矽美）快恢复二极管SF1602 型号：SF1602 品牌：MHCHXM（海矽美） 封装：TO-220AB 正向电流：16A 反向耐压：200V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 特性：快恢复二极管 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的SF1602-MHCHXM（海矽美）快恢复二极管  MHCHXM（海矽美）品牌SF1602

25N120-ASEMI高压MOS管25N120

编辑：ll 25N120-ASEMI高压MOS管25N120 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：25A 漏源击穿电压：1200V RDS（ON）Max：0.12Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的25N120 MOS管   ASEMI品牌25N120是采用工

12N65-ASEMI高压MOS管12N65

编辑：ll 12N65-ASEMI高压MOS管12N65 型号：12N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 12N65场效应管 12N65的电性参数

10N60-ASEMI高压MOS管10N60

编辑：ll 10N60-ASEMI高压MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的10N60 MOS管   ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片

7N65-ASEMI高压MOS管7N65

编辑：ll 7N65-ASEMI高压MOS管7N65 型号：7N65 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：1.35Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的7N65 MOS管   ASEMI品牌7N65是采用工艺芯片，该芯片

7N60-ASEMI高压MOS管7N60

编辑：ll 7N60-ASEMI高压MOS管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1.2Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 7N60场效应管 7N60的电性参数：最大漏

ASEMI大功率MOS管90N10参数，90N10应用，90N10图示

编辑-Z ASEMI大功率MOS管90N10参数： 型号：90N10 漏源电压（VDSS）：100V 连续漏极电流（ID）：90A 栅源电压（VGSS）：±20V 功耗（PD）：125W 漏源漏电流（IDSS）：100uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：8mΩ 输出电容（COSS）：940pF 脉冲漏极电流（IDM）：360A 漏源二极管正向电压（VSD）：1.2V 反向恢复时间（trr）：65n

ASEMI的MOS管9N90参数，9N90电路图，9N90实物图

编辑-Z ASEMI的MOS管9N90参数： 型号：9N90 漏源电压（VDSS）：900V 栅源电压（VGSS）：±30V 连续漏极电流（ID）：9.0A 脉冲漏极电流（IDM）：36A 功耗（PD）：49W 漏源漏电流（IDSS）：10uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.4Ω 输出电容（COSS）：175pF 漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V 反向恢复时间（trr）：550nS  

ASEMI场效应管AO3401参数，AO3401规格，AO3401特征

编辑-Z 场效应管AO3401参数： 型号：AO3401 漏源电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：±12V 连续漏极电流（I）：4.2A 脉冲漏极电流（IDM）：30A 功耗（PD）：1.4W 结温和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃ 漏源击穿电压（BVDSS）：-30V 零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1uA 栅体漏电流（IGSS）：±100nA 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ 正