ASEMI的MOS管9N90参数，9N90电路图，9N90实物图
作者：互联网
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ASEMI的MOS管9N90参数：
型号：9N90
漏源电压（VDSS）：900V
栅源电压（VGSS）：±30V
连续漏极电流（ID）：9.0A
脉冲漏极电流（IDM）：36A
功耗（PD）：49W
漏源漏电流（IDSS）：10uA
栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.4Ω
输出电容（COSS）：175pF
漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V
反向恢复时间（trr）：550nS
9N90封装尺寸：
封装：TO-220AB
总长度：28.8mm
本体长度：15.87mm
引脚长度：12.93mm
宽度：10.16mm
高度：4.7mm
脚间距：2.54mm
9N90特征：
超低栅极电荷（典型值为45 nC）
低反向传输电容（CRSS=典型值14 pF）
快速切换能力
雪崩能量指定
改进的dv/dt能力，高坚固性
标签：实物图,9N90,mm,栅极,电路图,典型值,ASEMI,漏源 来源： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16359607.html