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ASEMI大功率MOS管90N10参数,90N10应用,90N10图示

作者:互联网

编辑-Z

ASEMI大功率MOS管90N10参数:

型号:90N10

漏源电压(VDSS):100V

连续漏极电流(ID):90A

栅源电压(VGSS):±20V

功耗(PD):125W

漏源漏电流(IDSS):100uA

栅极阈值电压(VGS(TH)):3V

静态漏源导通电阻(RDS(ON)):8mΩ

输出电容(COSS):940pF

脉冲漏极电流(IDM):360A

漏源二极管正向电压(VSD):1.2V

反向恢复时间(trr):65nS

 

 

90N10封装尺寸图示:

封装:TO-220AB

总长度:29.7mm

本体长度:9.4mm

引脚长度:13.8mm

宽度:10.8mm

高度:4.8mm

脚间距:2.54mm

 

 

90N10特征:

低栅极电荷

低输入电容

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力

 

标签:mm,MOS,栅极,漏极,90N10,ASEMI,漏源
来源: https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16371123.html