12N65-ASEMI高压MOS管12N65
作者：互联网
编辑：ll
12N65-ASEMI高压MOS管12N65
型号：12N65
品牌：ASEMI
封装：TO-220AB
最大漏源电流：12A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：0.68Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管
工作结温：-55℃~150℃
12N65场效应管
12N65的电性参数：最大漏源电流12A；漏源击穿电压650V
标签：12A,12N65,MOS,650V,ASEMI,漏源 来源： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/16395848.html