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12N65-ASEMI高压MOS管12N65
编辑：ll 12N65-ASEMI高压MOS管12N65 型号：12N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 12N65场效应管 12N65的电性参数BTA12A-ASEMI的12A双向可控硅IGBT管
编辑：ll BTA12A-ASEMI的12A双向可控硅IGBT管 型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：TO-220 反向耐压：30V 引脚数量：3 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅IGBT管 储存温度：-40℃~+150℃ 概述 可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结12N65-ASEMI高压MOS管12N65
编辑-Z 12N65有TO-262、TO-220/220F、TO-247等多种封装形式，是一款高压MOS管。12N65的浪涌电流Ifsm为48A，G极漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，反向耐压为650V，正向电压(VF)为1.4V，恢复时间（Trr）为380ns，其中有3条引线。 12N6512N65-ASEMI高压MOS管12A 650V
编辑：ll 12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V 型号：12N65 品牌：ASEMII 封装：TO-220F/TO-220AC/TO-262/TO-247 电性参数：12A 650V 正向电流：12A 反向耐压：650V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 12N65高压MOS管，MOS管:金属-氧化12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V
编辑：ll 12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V 型号：12N65 品牌：ASEMII 封装：TO-220F/TO-220AC/TO-262/TO-247 电性参数：12A 650V 正向电流：12A 反向耐压：650V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 12N65高压MOS管，MOS管:金属-氧化物-LM3150 18-24V 输入 6V 12A输出DCDC调试记录
LM3150 18-24V 输入 6V 12A输出DCDC调试记录 经过N个版本的改板，想要的效果终于出来了。 废话不多说，先贴图。。。 经常出现问题： 1.空载输出电压正常，带载后电压跳变。 2.输入纹波过大于40mV。 3. 空载电流大于24V\40mA.MOS上管和电感发热大于50度。 4. 上电后无输出。 5. 输