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湿法蚀刻工艺去除金属氧化物
摘要 最近从一家工业薄膜制造商收集的数据表明，近 8% 的设备由于金属过多或设备表面上不需要的金属而被拒绝。实验和分析表明，这些缺陷中几乎有一半是由于在整个上游工艺的加热环境中形成在导电镍表面顶部的氧化镍未完全去除造成的。这项研究对这些多余金属缺陷的成分进行了分类和《炬丰科技-半导体工艺》 圆湿法清洗的速率检测器
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：圆湿法清洗的速率检测器 编号：JFKJ-21-962 作者：炬丰科技 引言 在半导体衬底(晶圆)清洗中，湿法清洗必不可少。湿法清洗可以包括化学和机械方法，用于湿法蚀刻薄膜层和/或去除晶片表面上的颗粒。在现有技术中，湿法清洁的一种方式包括使用声能清洁《炬丰科技-半导体工艺》硅的湿化学蚀刻机理
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：硅的湿化学蚀刻机理 编号：JFKJ-21-840 作者：炬丰科技 摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体《炬丰科技-半导体工艺》晶硅蚀刻对电池电学的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：晶硅蚀刻对电池电学的影响 编号：JFKJ-21-1273 作者：华林科纳 引言 在本文中，我们提出了一种简单的低成本的湿式化学蚀刻工艺，它促进了银金属团簇的存在，并应用于n型硅和商用硅太阳能电池。样品处理分两个步骤进行：首先通过在金属盐溶液中的浸没时《炬丰科技-半导体工艺》通过深紫外光刻胶进行化学渗透
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：通过深紫外光刻胶进行化学渗透 编号：JFKJ-21-1324 作者：华林科纳 由于光光刻和湿蚀刻的结合，门氧化物区域现在仍然被定义。实际上，后者优于等离子体蚀刻，以避免任何晶体管沟道粗糙度和可靠性退化。在这种软掩模图案形成过程中，抗蚀剂下的栅氧化物《炬丰科技-半导体工艺》基板上的层蚀刻方法
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：基板上的层蚀刻方法 编号：JFKJ-21-1360 作者：华林科纳 本文涉及一种在衬底(Sub)上蚀刻待去除层的方法，提供了Si1-XGeX层作为要消除的层，并且上述层在气相蚀刻期间被蚀刻气体，特别是ClF3至少部分消除。 Si1-XGeX层的蚀刻特性可由Si1-XGeX层内的Ge感光法制作PCB（手工制板）
一般来说时间充裕的话我都会选择专业制PCB厂家，例如嘉立创或者捷配之类，但最快加急也要24H，再加上快递怎么也得两到三天左右，或者又比如要参加学科竞赛（电赛）之类，快速制板便显得尤为重要。所以今天来介绍一种快速制板的方法：感光法制作PCB，其整个过程下来只需要一小时甚至半小时不到。《炬丰科技-半导体工艺》使用酸性溶液对硅晶片进行异常各向异性蚀刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：使用酸性溶液对硅晶片进行异常各向异性蚀刻 编号：JFKJ-21-855 作者：炬丰科技 介绍 在本文中，我们首次报道了实现硅晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用《炬丰科技-半导体工艺》氮化硅对硅和二氧化硅的高选择性蚀刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：氮化硅对硅和二氧化硅的高选择性蚀刻 编号：JFKJ-21-636 作者：炬丰科技 摘要 描述了一种从硅和二氧化硅中去除氮化硅层的高选择性干法刻蚀工艺，并对其机理进行了研究。与传统的Si3N4去除工艺相比，这种新工艺采用远距离O2 /N2放电，CF4或NF3作为氟源的《炬丰科技-半导体工艺》HF溶液中硅蚀刻过程中银的双重作用
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：HF溶液中硅蚀刻过程中银的双重作用 编号：JFKJ-21-721 作者：炬丰科技 关键词：硅纳米线，银，高频，蚀刻，催化 摘要 据报道，在硅蚀刻过程中，银起到了有争议的作用。一些研究人员争论银可以保护硅，同时，其他研究人员证实银可以催化下面的硅。在本文《炬丰科技-半导体工艺》不同氮化镓蚀刻技术的比较
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：不同氮化镓蚀刻技术的比较 编号：JFKJ-21-610 作者：炬丰科技 关键词:氮化镓，氮化物，二元蚀刻，轮廓仪，原子力显微镜 摘要 综述并比较了几种氮化镓刻蚀技术。本实验选用氮化镓二元刻蚀技术，用德克轮廓仪和原子力显微镜测量刻蚀后的氮化镓轮廓。二《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集29
一：《单晶片清洗中的时间影响》 二：《旋转清洗工艺》 三：《单片湿法刻蚀》 四：《等离子体的微纳米制造》 五：《电化学行为后的蚀刻清洗》 六：《2021年电子半导体白皮书》 七：《多通道晶圆缺陷检测方法》 八：《晶圆背面高效清洁工艺》 九：《晶片中去除超音速颗粒》 十：《光刻胶剥离方法》《炬丰科技-半导体工艺》GaN 的简单湿法蚀刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：GaN 的简单湿法蚀刻 编号：JFKJ-21-459 作者：炬丰科技 摘要 我们讨论了对 GaN 的非接触式紫外线增强湿法蚀刻技术的研究。该技术利用氧化剂过硫酸钾来消耗光生电子，从而避免了与外部阴极电接触的需要。蚀刻速率很大程度上取决于光照强度和均匀性等离子体技术【八】--RPS远程等离子蚀刻机台
摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.4 远程等离子源也称为远程高密度等离子发生器，它是半导体、芯片制造过程中的核心装备。它用离化后的氟来清洗沉积在芯片结构内部的硅粉尘。在半导体、芯片等制程中，随着时间的增加，在芯片内部和表面都PCB厂甩铜常见的原因分析
PCB的铜线脱落（也是常说的甩铜）不良，PCB厂都说是层压板的问题，要求其生产工厂承担不良损失。根据鄙人多年的客户投诉处理经验，PCB厂甩铜常见的原因有以下几种： 一、 PCB厂制程因素： 1、 铜箔蚀刻过度，市场上使用的电解铜箔一般为单面镀锌（俗称灰化箔）及单面镀铜（俗称红化箔），常见的甩激光烧蚀 @有机聚合物
注：内容涵盖的是1994年之前的laser ablation的研究，参考文献可在“浮光倾云”公众号后台回复“激光烧蚀”获取 Interaction of Laser Radiation with Organic Polymers 一、研究历史 有机物分子与光子的相互作用方式不同于金属和无机化合物与光子的反应。紫外线（UV）光子在被有web前端入门到实战：css实现动态阴影、蚀刻文本、渐变文本
css实现动态阴影 创建与类似的阴影box-shadow 而是基于元素本身的颜色。 代码实现： <div class="dynamic-shadow-parent"> <div class="dynamic-shadow"></div> </div> <style> .dynamic-shadow-parent { position: relative; z-index: 1; } .dyna适用于实验室的新型能量回收污水处理铜板蚀刻机设计[17年神雾杯节能减排大赛]
# 适用于实验室的新型能量回收污水处理铜板蚀刻机设计设计者：范裕莹 董慧鑫 李纳瑞 陆婧 李亮 彭岩 罗豪指导教师：阳晓宇武汉理工大学 信息工程学院 武汉 430070# 演示视频 ## 作品内容简介 链接：https://poetryscience.ink/2018/09/11/JienengJianPaiTogether/本新型铜板蚀刻机对