《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集29

一：《单晶片清洗中的时间影响》

二：《旋转清洗工艺》

三：《单片湿法刻蚀》

四：《等离子体的微纳米制造》

五：《电化学行为后的蚀刻清洗》

六：《2021年电子半导体白皮书》

七：《多通道晶圆缺陷检测方法》

八：《晶圆背面高效清洁工艺》

九：《晶片中去除超音速颗粒》

十：《光刻胶剥离方法》

十一：《光刻胶的湿剥离工艺》

十二：《硅加工的高效清洁》

十三：《光刻中接触孔和沟槽的双重构图策略》

十四：《硅片CMP中材料去除率的化学影响》

十五：《防止种植体表面生物膜形成的表面涂层策略》

十六：《高频超声清洗半导体晶片的方法》

十七：《单片晶圆清洗工具干燥性能评估》

十八：《氮化栅氧化物的表面制备挑战》

十九：《单晶片湿法清洁工艺的氧气控制》

二十：《单晶圆工具湿蚀刻时的光刻胶附着力》

标签：晶圆,--,单晶,29,光刻胶,工艺,蚀刻,清洗,合集
来源： https://blog.csdn.net/hlkn2020/article/details/120204767