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三子棋的升华———多子棋的代码实现

以五子棋为例 关键代码（其他代码同三子棋）    注意：红色标记是细节之处，不细心很容易出错！

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"单一职责"模式 重构前 «interface» Stream FileStream NetworkStream MemoryStream CryptoFileStream

电子技术基础笔记01

电子技术基础 半导体 导电能力随着温度，光照或杂质的掺入而变化。 本征半导体： 单晶体硅或锗，呈四面体结构。T = 0K 下，自由 电子为共价键所束缚。   温度升高，电子获能，产生空穴。（指数级增加） 电子 + 空穴 = 复合 电子∪空穴 --> 载流子   杂质半导体 N型--掺入磷（5价）多子为- P型-

mos晶体管原理

视频链接 N型半导体 5价   磷     多子是电子 P                3      硼     多子是空穴 Nmos 源级 电子移动到 漏级，电流漏级到源级 线性区、非饱和区、饱和区 非饱和区、饱和区、截至区  I-V特性 增强型（主流）、耗尽型 符号   

三极管BJT与场效应管FET的区别

1.三极管 BJT，场效应管FET 2.FET电压控制电流,BJT电流控制电流， 3.FET功耗大，BJT功耗小，故FET应用更为广泛 4.FET栅极几乎无电流，输入电阻更大 5.FET单极型（电子或者空穴），多子导电，由于多子浓度不易受环境影响，故更加稳定，BJT双极型（电子和空穴）