电子技术基础笔记01
作者：互联网
电子技术基础
半导体
导电能力随着温度，光照或杂质的掺入而变化。
本征半导体：
单晶体硅或锗，呈四面体结构。T = 0K 下，自由 电子为共价键所束缚。
温度升高，电子获能，产生空穴。（指数级增加）
电子 + 空穴 = 复合
电子∪空穴 --> 载流子
杂质半导体
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N型--掺入磷（5价）多子为-
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P型--掺入硼（3价） 多子为+
掺入杂质使得正负载流子不对称，导电性大幅提高。
PN结
多子扩散运动，使载流子复合，于是无法移动的离子在交界处形成空间电荷区（PN结）。
空间电荷区产生内电场，由N指向P，阻碍多子运动，利于少子运动（少子漂移运动）
单向导电性
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外加正向电压
P-->N:内电场被削弱，阻碍多子扩散的 空间电荷区变窄，多子扩散增强
正向扩散电流大。
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外加反偏电压
N-->P:内电场被增强，阻碍多子扩散的 空间电荷区变宽，少子漂移增强
导致反向漂移电流（约为0）。
二极管
P阳极
N阴极
Uon 启动电压
UBR反向击穿电压
击穿时，电流小温度低时，二极管可恢复。
I = Is(e^U/UT -1)
Is = 反向饱和电流
UT = 常温下 压力常数
U---> -∞时， I ~= - Is
U---> ∞时, I = Is*e^U/UT
接通时视为导线
截止时视为断路（电阻无限大）
稳压管
反向击穿下工作的二极管，击穿时电压变化小而电流急剧增加。
工作电流要保持在区间范围内：
I min < I z <I max
三极管
基区 掺入物质浓度最低
发射区浓度远大于集电区
晶体管的电流控制
VBB 使发射结 正向偏置
VCC 使集电结 反向偏置
内部载流子运动
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发射区浓度高，基区浓度最低。在正偏下，发射区向基区注入大量电子，而基区向发射区移动少量空穴。
IE = IEN + IEP ～= IEN
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发射区进入基区的电子，在e结处浓度大，在c结处因反偏而浓度小，形成浓度差，电子从而继续往c结扩散。在基区中少量空穴与电子复合，形成电流IBN。（空穴由基极电流IB提供）
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扩散到c结的电子在反偏电场下移至集电区，形成ICN。反偏电场同时又利于少子漂移，形成反向饱和电流ICBO，流经基极汇入IB，流经集电极汇入IC。
所以IC = ICN + ICBO
IB = IBN + ICBO
IE ～= IEN
IE = IC + IB, IB < < IC
特性曲线
输入特性曲线
U CE（管压降）不变时，I B与发射结电压降U BE之间的关系。
类似于PN结，硅(锗)晶体管开启电压为0.5V(0.2V)，导通通电范围为0.6-0.7V(0.2-0.3V)
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U CE（管压降）= 0 V时，集电极和发射极短路，此时集电结和发射结并联，因此类似于PN结。
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U CE（管压降）= 1 V时，集电结反偏，内电场加强，e区电子绝大多数被浓度差吸入c区，只有少数在b区与空穴复合，而复合的电流则有基级提供(电流I B)。因此在相同U BE下，基极电流更小，曲线右移。
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U CE（管压降）> 1 V时，与2情况曲线几乎重合。管压降过大时，电子几乎已被c区全部收集，电流I B已减少到极致。
输出特性曲线
I B不变时，集电极电流I C 与管压降U CE的关系。
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截止区：
I B = 0时，曲线下方区域。I C此时也接近于0(=I CEO穿透电流)，晶体管无放大作用。发射结与节点结均为反偏状态。U BE < 0, U BC < 0。
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放大区：
发射结正偏，集电结反偏。此区域内，I C基本上不随U CE改变。且ΔI C = βΔI B，此为晶体管的电流放大作用。工作时，要使得U BE >= 0.7V， U BC < 0。(即U BE < U CE)
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饱和区：
不同I B的输出曲线几乎重叠，即管压降较小时，集电极电流不会因基极电流变化而放大。(V cc 一定时，I C增大会使U CE减小，U CE = V cc - I C*R C。 当U BE > U CE时，集电结正偏，c区吸引电子能力下降，I B 增大，I C也很难增大。)
U BE = U CE时，晶体管处于临界饱和。U BE > U CE时，为过饱和。饱和管压降用U CES表示，通常小于0.3V。
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标签：01,多子,管压,电子,CE,笔记,基区,电流 来源： https://www.cnblogs.com/chouxiangjia/p/14496501.html