mos晶体管原理

视频链接

N型半导体 5价   磷     多子是电子

P                3      硼     多子是空穴

Nmos 源级 电子移动到 漏级，电流漏级到源级

线性区、非饱和区、饱和区

非饱和区、饱和区、截至区  I-V特性

增强型（主流）、耗尽型

符号 

标签：mos,多子,非饱和,晶体管,源级,原理,漏级,饱和
来源： https://www.cnblogs.com/chino-ll/p/14496520.html