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《炬丰科技-半导体工艺》纯水中溶解氧对金属吸附Ge表面的各向异性刻蚀
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：纯水中溶解氧对金属吸附Ge表面的各向异性刻蚀 编号：JFHL-21-1060 作者：炬丰科技 在新一代晶体管的开发中，作为沟道材料，高迁移率的锗( Ge )备受瞩目。但是，如何高质量地加工栅极绝缘膜形成前的Ge表面，特别是湿式清洗时的各种污染物的行为和除去特《炬丰科技-半导体工艺》不同氮化镓蚀刻技术的比较
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：不同氮化镓蚀刻技术的比较 编号：JFKJ-21-610 作者：炬丰科技 关键词:氮化镓，氮化物，二元蚀刻，轮廓仪，原子力显微镜 摘要 综述并比较了几种氮化镓刻蚀技术。本实验选用氮化镓二元刻蚀技术，用德克轮廓仪和原子力显微镜测量刻蚀后的氮化镓轮廓。二基于RBF的半导体刻蚀机异常检测
第三章 半导体刻蚀机数据预处理 对半导体刻蚀机进行故障诊断，首先需要采集获取半导体刻蚀机刻蚀过程的数据，并对数据进行分析和处理工作。本论文的半导体刻蚀机原始数据来自于LAM9600等离子刻蚀机加工晶元时的运行状态数据。本章主要介绍半导体刻蚀机刻蚀过程数据前期的预处理