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SIC 模块FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 150A 1200V /FF08MR12W1MA1B11概述

概述FF08MR12W1MA1B11 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块,具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优

汽车主机厂自研芯片

汽车主机厂自研芯片 全球汽车行业缺芯  自2020年底以来,全球制造业如今面临的最重要问题之一,就是“缺芯”。从汽车到智能手机,再到游戏机生产商,大家叫苦不迭,这有可能是史上最严重的一次芯片短缺危机。其中,叫苦最多的莫过于汽车制造业。   最近,丰田、本田等日企,大众汽车,福特和通

ROHM 第4 代SiC MOSFET 在电动汽车电控系统中的应用及其优势

ROHM 第4 代SiC MOSFET 在电动汽车电控系统中的应用及其优势 n引言 近年来,为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标,需要进一步普及下一代电动汽车(xEV),从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车(EV)领域,为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸,提高发挥驱

第三代电力电子半导体:SiC MOSFET学习笔记(三)SiC驱动方案

如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片?(英飞凌官方) 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同,并且其通常工作在高频应用环境中, 为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片,需要考虑如下几个方面: 驱动电平与驱动电流的要求 首先,由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合,其

JavaSE:在线考试系统(6) - 服务器接收客户端发来的消息并打印

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双脉冲仿真测试(LTspice搭建)

1.双脉冲测试原理         很多博主已经发布了大量有关双脉冲测试的意义、双脉冲测试原理等,顾在此不在赘诉,如有需要的小伙伴可以点这里。以下重点介绍在LTspice中双脉冲电路的搭建及可能遇到的问题。 2.搭建双脉冲测试                                  

Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT动态参数测试

1、功能范围: EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向

RNA提取——高灵敏度Norgen SiC技术解决方案

传统的二氧化硅技术 VS 碳化硅技术 传统的基于二氧化硅的技术表现出偏向于捕获具有高GC含量的RNA和具有高分子量的RNA片段。然而,碳化硅技术已证明对所有RNA种类(包括小RNA;200 nt或更小的RNA)具有一致的结合亲和力。这为研究人员和临床医生提供了更完整的样本真实RNA图谱,从而避

SemiQ(原GlobalPower)1200V/60A碳化硅二极管模块GHXS060A120S‐D3

SemiQ(2019年11月由GlobalPower更名为SemiQ)的1200V/60A碳化硅二极管模块GHXS060A120S‐D3已经成功应用于独立的直流快速充电站——Charge Point Express 250, 现在我们来了解一下这一产品:         该器件的主要特征 •SiC肖特基二极管 ‐零反向恢复 ‐零前向恢复 ‐温度无

NOMA学习笔记

NOMA(非正交多址接入): (摘自《面向5G的非正交多址接入技术(NOMA)浅析》.张长青) 1.1基本原理:        在正交多址技术(OMA)中,只能为一个用户分配单一的无线资源,例如按频率分割或按时间分割,而NOMA方式可将一个资源分配给多个用户。NOMA技术的基础仍是成熟的OFMA技术,NOMA在同一个子