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双脉冲仿真测试(LTspice搭建)

作者:互联网

1.双脉冲测试原理

        很多博主已经发布了大量有关双脉冲测试的意义、双脉冲测试原理等,顾在此不在赘诉,如有需要的小伙伴可以点这里。以下重点介绍在LTspice中双脉冲电路的搭建及可能遇到的问题。

2.搭建双脉冲测试

                                                                                                                                                       图1双面测试电路图

  此次仿真中选择CREE公司器件,其中MOSFET型号为:CPM2-1200-0080B(SiC),二极管型号为:CPW41200S010B(SiC)。

  在电路图中共有三个电压测试点分别是:out-1,out-2,out-3。

  U1(SiC MOSFET)栅极加-15V电压保证此管处于关断状态。

  电压源 v4、v5(25V)为 U1、 U2(SiC MOSFET)提供25℃的结温。(根据实际需要,大家可以设置不同的电压值,来测试不同结温度下管子的情况)

 根据原理可知U2 源极电流在双脉冲测试中最大电流Imax = (1200V / 50µH)* 2µS 。

  在本次仿真中,门极电阻设置为20Ω最合适(小伙伴们可以自行调试,一般初始值设为10Ω)。

3. 波形图

(1)脉冲信号

 图2  双脉冲波形

 

   图2是电压源V2产生的脉冲波形(测试点为out-1),其幅值为15V, 占空比50%,周期为2µs。

 (2)栅极信号

   图3  门极波形

   图3 是开关器件U2门极信号波形,通过测试点out-2测试。

(3)Vde

图4  漏源电压波形  

 图4 是开关器件U2漏源电压波形,通过测试点out-3测试。

(4)Ic

图5  源极电流波形  

(5)汇总(方便大家对比分析)

图6  对比分析

4.可能出现的问题

 (1)电压源V3、负载电感L1、开关频率数值的设定

        电压源V3的值一般根据datesheet给定值设定,有时在仿SiC MOFET 电压等级为1.2kV时,V3的值设定为540V。

        L1负载电感一般情况下设定为50 µH。参考电感值: 50 µH ~ 200 µH 

       开关频率,可以根据开关器件、二极管datesheet额定电流来确定       I = (V3 / L1)* T(占空比为50%时,脉冲周期)

                                 /*通过合理的设置这3个参数,确定Ic电流*/  (划重点)

   /*在仿真过程中调整门极电阻R1的值可以强烈地影响该过程,可以影响Vge电压波形,Ic电流波形,Vde电压波形*/   (划重点)

由于作者水平有限,难免存在错漏之处,敬请广大读者批评指教。

 

标签:仿真,测试,波形,脉冲,LTspice,SiC,电压,out,搭建
来源: https://www.cnblogs.com/xut-mahaohao/p/14901440.html