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DDR4 SDRAM -时序参数小册子
如前所述，大神的原文链接如下： https://www.systemverilog.io/ddr4-timing-parameters-cheatsheet 参数 功能 ACTIVATE时序 tRRD_S 当向不同 bank group 的 bank 发出连续的 ACTIVATE 命令时，ACTIVATE 命令必须用 tRRD_S 分隔（row-to-row delay--short） tRRD_L 如果banDDR4 SDRAM - 2. 初始化、训练和校准
如前所诉，本文为翻译学习大佬博客。强烈推荐直接去看大佬原博：DDR4 SDRAM - Initialization, Training and Calibration 引言 当带有DRAM子系统的设备上电后，在 DRAM 进入运行状态之前会发生许多事情。 以下来自JEDEC规范的状态机显示了DRAM从上电后的各种状态切换。Axf格式bin格式
代码编译后得到可执行文件（ARM的可执行文件是axf格式，但是官方提供了fromelf工具，可以很方便的转换为bin格式。Axf格式可以直接在SDRAM内运行却不能下载到flash中，而bin格式可以下载到flash中启动运行，也可以直接加载到SDRAM中运行），常用的调试方法有两种：一个是下载到flash中并重启开发板自己写bootloader------编写第2阶段
我们的bootloader要实现以下功能， 初始化硬件：关看门狗，设置时钟，设置SDRAM，初始化nand falsh，如果bootloader比较大，要把它重定位到SDRAM。把内核从nandflash读到SDRAM设置"要传给内核的参数"跳转到内核 在第一阶段我们实现了初始化以及重定位，并且封装了nandread函数，接下来实现后面三uboot启动流程详解
uboot启动流程详解 前言uboot启动流程bootz/bootm命令启动Linux内核过程总结 前言 本文参考正点原子教程，参考正点原子阿尔法开发板 uboot启动流程 下图为从SD卡启动后，其uboot镜像加载到内存中的位置，这里有个疑问，这里将vectors段和start段等uboot第一阶段代码加载到SDRAM内存控制器与SDRAM
内存接口的概念 cpu通内存控制器来控制UART和GPIO 2440与不同的内存进行通信时，如何保证不被其他的内存干扰？ 答：内存控制器根据cpu发来的地址，来确定片选信号（确定的范围在芯片手册上有），确定哪个可以被使用，而其他的屏蔽。统一编址flash除外 不同位宽设备之间的连接 如何确定芯内存之RAM、SRAM、DRAM、ROM、FLASH、SDRAM、DDR*
内存 内存（Memory）指的是内存存储器，又称为主存，是CPU用来直接寻址和存储的空间，它相当于一座桥梁，用以负责诸如硬盘、主板、显卡等硬件上的数据与处理器之间数据交换处理，我们可以把内存看作数据缓存区，一个高速的缓存区。内存之所以称为内存，是相对于硬盘这些外存而言，我们要用的SDRAM
简介、优缺点、历史 1、译为“同步动态随机存取内存”，区别于异步DRAM。 2、同步(Synchronous)：与通常的异步 DRAM 不同， SDRAM 存在一个同步接口，其工作时钟的时钟频率与对应控制器(CPU/FPGA)的时钟频率相同，并且 SDRAM 内部的命令发送与数据传输均以此时钟为基准，实现指令或数据的同FPGA车牌识别（1）项目简介
一、硬件平台 使用了正点原子的新起点开发版，芯片为Altera Cyclone IV EP4CE10 ，摄像头OV5640，4.3寸LCD液晶屏。 整个项目用到的外设有摄像头、SDRAM、LCD显示屏、数码管 二、识别流程 摄像头实时拍摄，将数据缓存进SDRAM，识别模块读取数据，处理后将分割出的车牌图像给LCD，识别结果给数码关于stm32三级流水线\指令周期\时钟周期\SDRAM
3级流水线是什么意思？ 先给出一级流水线顾名思义:一个完整的产品（这里指的是一个完整的指令）生产所要用到的步骤，三级并非三个步骤完成，三级的意思是，同时进行三个产品的一步（前提是产品的每一步之间不冲突）。 一个流水线的三步（按照时间顺序执行），也可以说是一个指令从开始执行到执行完毕wds - uboot，自己做一个bootloader
bootloader的目标——从Nand中读出内核、启动内核 一、uboot 如何获得一个uboot文件 【注意，uboot文件与patch不要在共享路径下进行解压和打补丁，否则可能会有问题】 【如果出错的话，可以加上“sudo”试一试】 步骤一：先在liunx环境下解压uboot开源源代RAM(SRAM,DRAM,SSRAM,SDRAM,DDR)、ROM(PROM,EPROM,EEPROM)、PSRAM、FLASH(NOR FLASH,NAND FLASH)
RAM 随机存储器，存储单元的内容按需随意存取，且存取速度与存储单元的位置无关。掉电易失。 SRAM 触发器构成，不需要刷新电路技能保存内部存储的数据。速度非常快，也非常昂贵。 DRAM 电容构成，隔段时间就需刷新充电，否则内部的数据即会消失。 SRAM拥有较高的性能，但是SRAM集成度较低，嵌入式实操----基于RT1170 使能SEMC配置SDRAM功能（八）
本文主要是通过迁移的思维，记录本人初次使用NXP MCUXpresso SDK API进行BSP开发 MCUXpresso SDK SEMC API 接口链接 在MCUXpresso SDK 框架下提供了对SEMC DDR进行操作的接口。 学习链接：https://community.nxp.com/t5/MCUXpresso-Community-Articles/i-MX-RT-memory-validation嵌入式实操----基于RT1170 DCD数据开发入门记录（十一）
本文主要是通过迁移的思维，记录本人初次使用NXP MCUXpresso SDK API进行BSP开发 使用RT1170开发已经一段时间了，但是发现FreeRTOS系统跑起来了，但是并没有看到SDRAM控制器的代码。 1. DCD起什么作用 DCD是一个数组，是一个命令数组，用于告诉内部BOOT ROM，执行相关的操作。 2. 如何开发嵌入式实操----基于RT1170 首板硬件之SDRAM调试（十二）
本文主要是通过迁移的思维，记录本人初次使用NXP MCUXpresso SDK API进行BSP开发 其实每次拿到新硬件平台的首板件，最注要的就是保证最小系统正常，包含了MCU的上电时序正常，电压正常，晶振起振，Flash及SDRAM硬件正常，引导模式正确(TF/SPI-FLASH/NAND FLASH/EMMC等接口引导)，串口会有打印。在DDR工作时序与原理【转】
转自：https://blog.csdn.net/chenhongfeng1122/article/details/24876137 DDR SDRAM 全称为 Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流 SDRAM”。DDR SDRAM 在原 有的 SDRAM的基础上改进而来。下图是DDR和SDRAM的数据传输对比图 图上可以清楚的看到，DDR SDRAM可在一个时钟周期内DDR工作原理【转】
转自：https://www.cnblogs.com/shengansong/archive/2012/09/01/2666213.html DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。也正因为如此，DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM，成为当今的主流。本文只SDRAM接口练习4
SDRAM接口练习4 `timescale 1ns / 1ps // // Company: // Engineer: // // Create Date: 2021/08/03 09:39:06 // Design Name: // Module Name: work_4 // Project Name: // Target Devices: // Tool Versions: // Description: // // Dependencies: // // Revis对于重要的nor 和 nand 存储器介绍
存储器通常分为易失性存储器（RAM - random access memory）和非易失性存储器（ROM - read only memory） 易失性存储器 SRAM：Static Random Access Memory（静态随机存储器），基本的存储单元由SR锁存器组成，不需要定时刷新。 DRAM：Dynamic Random Access Memory（静态随机存储器），由电容和晶体管SDRAM时序
https://blog.csdn.net/ffeige1984/article/details/18773397 https://blog.csdn.net/cs2626242/article/details/95657381uboot移植之建立新板、初始化时钟/SDRAM/UART
先uboot中建立一个新单板： 1、在booard/sansung下复制一份smdk2410文件夹，重命名为smdk2440 2、在include/configs下复制一份smdk2410.h，重命名为smdk2440.h 3、在uboot的根目录的boards.cfg文件中： 仿照smdk2410 arm arm920t - saSDRAM学习笔记（一） sdram_init
仿真结果 1 module sdram_init 2 ( 3 input sys_clk , //100Mhz 4 input sys_rst_n , 5 6 output reg [3:0]实战篇：sdram+fifo调试
本片主要总结SDRAM的FIFO优化仿真中出现的问题及解析。 针对下图的疑问点： 1.图中第一处，SDRAM的数据线在写FIFO往SDRAM写的过程中位高阻态，但实际应该是wr_data才对。为何？ 在代码中，关于DQ以及ADDR的PIN定义没有位宽，更改后显示正常。 2. 图中第二处，rd_data在读FIFO从SDRAM中读数据，STM32F429--LTDC显示字符与图形
硬件平台：正点原子阿波罗F429 软件工具：STM32CubeMX 5.6.0 开发IDE: SW4STM32 首先在STM32CUBEMX配置SDRAM,DMA2D DMA2D 的用法DMA2D是AHB总线矩阵上的主设备，将图形数据传输到内存。建议使用DMA2D来为CPU减荷。DMA2D执行四项基本任务：• 填充独特颜色的矩形形状。• 将一帧或一帧的矩汇编指令-adr与ldr伪汇编区别
adr :相对寻址,与当前位置有关ldr :绝对寻址,与当前位置无关 在初始化SDRAM时就会用到adr,代码如下: /* 初始化SDRAM */ ldr r0,=BWSCON //r0=SDRAM寄存器基地址,获取绝对地址 adr r1,SDRAM_CONFIG