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对于重要的nor 和 nand 存储器介绍

作者:互联网

存储器通常分为易失性存储器(RAM - random access memory)和非易失性存储器(ROM - read only memory)

易失性存储器
SRAM:Static Random Access Memory(静态随机存储器),基本的存储单元由SR锁存器组成,不需要定时刷新。

DRAM:Dynamic Random Access Memory(静态随机存储器),由电容和晶体管组成,结构非常简单。动态随机存储器 DRAM 的存储单元以电容的电荷来表示数据,有电荷代表 1,无电荷代表 0。但时间一长,代表 1 的电容会放电,代表 0 的电容会吸收电荷,因此它需要定期刷新操作。刷新操作会对电容进行检查,若电量大于满电量的 1/2,则认为其代表 1,并把电容充满电;若电量小于 1/2,则认为其代表 0,并把电容放电,藉此来保证数据的正确性。
DRAM又分为同步(Synchronous)和异步(Asynchronous)。

SDRAM(同步DRAM)在通讯时使用时钟信号,在时钟的上升沿表示数据有效。
为了进一步提高速度,由有了新的SDRAM,它可以把时钟信号的下降沿也利用起来,这样就能够实现两倍的传输速度,这就是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)。然后还有DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM,存储特性和DDR SDRAM没有什么区别,但时钟频率越来越快。

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非易失性存储器

ROM
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EEPROM可以用普通电压擦除(3.3V 5V),不需要专门的高电压来擦除。

Flash,现在应用的非常广泛(U盘、SSD硬盘)。
FLASH 存储器又称为闪存,它也是可重复擦写的储器,部分书籍会把 FLASH 存储器称为FLASH ROM,但它的容量一般比 EEPROM 大得多,且在擦除时,一般以多个字节为单位(扇区 / 块),一个块可能固定为512字节或1024字节。如有的 FLASH 存储器以 4096 个字节为扇区,最小的擦除单位为一个扇区。根据存储单元电路的不同,FLASH 存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH。擦除是将数据全部擦除为1。
NOR FLASH可以用来读写程序,而NAND FLASH只能够用来存储数据。为什么会有这种区别?实际上是因为,NOR FLASH的数据线和地址线时分开的,而NAND FLASH的地址/数据线是共用的。
非常重要。NOR FLASH和NAND FLASH都必须按扇区/块擦除,但是,有一个最大的区别就是,NOR FLASH可以按字节写入和读取(因此可以作为程序存储器),而NAND FLASH必须按块读写

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标签:SDRAM,FLASH,电容,存储器,nand,擦除,NOR,nor
来源: https://blog.csdn.net/m0_46332224/article/details/119358739