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什么是 FinFET
什么是 FET？ FET 的全名是“场效电晶体（Field Effect Transistor，FET）”，先从大家较耳熟能详的“MOS”来说明。MOS 的全名是“金属－氧化物－半导体场效电晶体（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）”，构造如图一所示，左边灰色的区域（矽）叫做“源极（Source）”，右边灰色GAAFET与FinFET架构
GAAFET与FinFET架构 三星3纳米成功流片！GAA架构 在2021年技术论坛上台积电强调3 纳米制程将照时程于2022 下半年正式量产。作为竞争对手的韩国三星也在积极加快3纳米量产进程。 据外媒报道，三星日前表示，采用GAA 架构的3 纳米制程技术已正式流片（Tape Out），对全球只有这两家能做到5 纳米TSMC台积电各种制程工艺技术
TSMC台积电各种制程工艺技术 台积电在半导体制造行业的专用 IC 代工领域拥有最广泛的技术和服务。IC Industry Foundation 战略体现了一种集成方法，将工艺技术选项和服务捆绑在一起。 台积电与合作伙伴合作，确保支持这些技术的所有服务代表专用 IC 代工领域的最佳实践。为此，台积电及FinFET与芯片制程
FinFET与芯片制程 芯片制造商已经在基于 10nm 和/或 7nm finFET 准备他们的下一代技术了，但我们仍然还不清楚 finFET 还能坚持多长时间、用于高端设备的 10nm 和 7nm 节点还能延展多久以及接下来会如何。 在 5nm、3nm 以及更小节点，半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题。即Ground plane fin-shaped field effect transistor (GP-FinFET): A FinFET for low leakage power circuits
摘要 探究了用Ground-Plane（接地平面技术）来制作的FinFET的物理特性，减小了源漏之间的连接电场，减小了DIBL效应 SOI-FinFETS的优点是：小的漏电流，小的源/漏体电容，更高的饱和电流，更好的亚阈值特性，对于衬底掺杂的敏感度更低FinFET与2nm晶圆工艺壁垒
FinFET与2nm晶圆工艺壁垒 谈到半导体工艺尺寸的时候，通常对于下面的一串数字耳熟能详：3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、0.35um、0.25um、0.18um、0.13um、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm...有人说5nm是半导体工艺的极限尺寸，也有人说1nm是半导体工艺的极限尺寸；iPhone