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Ground plane fin-shaped field effect transistor (GP-FinFET): A FinFET for low leakage power circuits

作者:互联网

摘要

探究了用Ground-Plane(接地平面技术)来制作的FinFET的物理特性,减小了源漏之间的连接电场,减小了DIBL效应

SOI-FinFETS的优点是:小的漏电流,小的源/漏体电容,更高的饱和电流,更好的亚阈值特性,对于衬底掺杂的敏感度更低

 

标签:减小,power,shaped,FinFET,leakage,特性,饱和电流,Ground
来源: https://www.cnblogs.com/Tskimoto/p/14971925.html