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I2C总线3.3V与5V双向电平转换电路

1 凑电阻 2 专用芯片比如π220N31 3 oc/od+mos管电路功能：实现I2C双向总线系统中3.3V与5V电平的双向转换，且不需要方向选择信号，而且还能将掉电的总线部分和剩下的总线系统隔离开来，保护低压器件防止高压器件的高电压毛刺。在电平转换器的操作中要考虑下面的三种状态： 1、没

电子技术-场效应管及其放大电路

三极管与场效应管都是常用的半导体器件，不同之处在于：（晶体）三极管BJT是一种电流控制元件，在放大工作时由于发射结需要正向偏置，故而在结构上导致其输入电阻较低场效应管FET是电压控制元件，其利用输入回路的电场效应来控制输入电流，故而其输入阻抗较高。由于场效应管仅仅依靠一

FinFET与芯片制程

FinFET与芯片制程芯片制造商已经在基于 10nm 和/或 7nm finFET 准备他们的下一代技术了，但我们仍然还不清楚 finFET 还能坚持多长时间、用于高端设备的 10nm 和 7nm 节点还能延展多久以及接下来会如何。在 5nm、3nm 以及更小节点，半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题。即

基于DRV8701的电机驱动设计

栅极驱动芯片DRV8701使用的一些注意事项

三极管BJT与场效应管FET的区别

1.三极管 BJT，场效应管FET 2.FET电压控制电流,BJT电流控制电流， 3.FET功耗大，BJT功耗小，故FET应用更为广泛 4.FET栅极几乎无电流，输入电阻更大 5.FET单极型（电子或者空穴），多子导电，由于多子浓度不易受环境影响，故更加稳定，BJT双极型（电子和空穴）

RF特征选择

随机森林特征选择特征选择的意义：这可以通过使用重要性分数来选择要删除（最低分数）或要保留的功能（最高分数）来实现。这是一种特征选择，可以简化正在建模的问题，加快建模过程（删除要素称为尺寸缩减），在某些情况下，可以提高模型的性能，并且提高模型的范化能力。随机林特征重要性：随机

场效应管FET

1.JFET传输特性曲线图一图二图三 1.N沟道 GS加负电压，P沟道GS加正向电压。 2.通过改变GS电压，改变栅极和衬底PN结耗尽层的大小，从而改变沟道大小来控制电流大小。 3.Idss 和Gm分散性比较大。由Idss确定Vgs. 4.耗尽型mosfet VGS=0 时，ID不等于0，所以不应用在放大以及开关、

权益质押（Staking）：这是关于什么的？

我们最近发表了三篇讲述Fetch.AI分类帐本的文章。这些概述：我们的权益质押计划的主要特点和验证器的作用影响我们设计权益质押模型设计的因素我们的创新共识协议将如何改变用户体验这些文章包含大量的信息，并回答了社区可能对该主题提出的许多问题。以下是常见问题解答的附加列

fet 请求三种数据类型

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稳压电源元件使用功率FET应注意的问题

稳压电源，几乎都能发现FET的影子。几乎每个电源工程师都用过这东西，或用来逆变；或用来整流；或就当个开关。由于用处不同；每个厂家都对不同用处FET做了专门优化。以致同样耐压/电流的FET；有多个型号。今天中港扬盛技术员就跟大家聊聊使用功率FET应该注意的问题有哪些。电路的综合成本超过