1.JFET传输特性曲线
图一
图二
图三
1.N沟道 GS加负电压，P沟道GS加正向电压。
2.通过改变GS电压，改变栅极和衬底PN结耗尽层的大小，从而改变沟道大小来控制电流大小。
3.Idss 和Gm分散性比较大。由Idss确定Vgs.
4.耗尽型mosfet VGS=0 时，ID不等于0，所以不应用在放大以及开关、功率电路中。
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来源： https://blog.csdn.net/dolin_wu/article/details/100066189