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CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域

CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域 显示 用于OLED、QD-OLED、甚至未来QLED的薄膜封装,通过有机/无机叠层结构的保护,水汽渗透率WVTR可降至10-5g/m2/day,保证OLED或者量子点发光材料的稳定。另外量子点光学膜QDEF也需要WVTR小于0.1的阻隔膜,保护量子点不受水氧破坏。   微电子 在包括miniL

原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)微电子制造铜金属化的研究进展

原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)微电子制造铜金属化的研究进展 Atomic Layer Deposition (ALD) and Chemical Vapor Deposition (CVD) of Copper-based Metallization for Microelectronic Fabrication                                                

CVD-ALD前驱体材料

CVD-ALD前驱体材料 ALD前驱体源瓶特点是什么   ALD前驱体源瓶(起泡器)用于固态、液态及气态超纯物料类的封装,涉及微正压、常压、中低压的危险化学品,对源瓶的安全性和洁净度提出严苛的要求。 ALD前驱体源瓶特点: 所有管件采用316L不锈钢,内部经400目机械抛光和电化学抛光,Ra