首页 > TAG信息列表 > Ald

Unlock_ALD程序,用于解锁由 Adob​​e 产品

Unlock_ALD程序,用于解锁由 Adob​​e 产品   Unlock_ALD是一个程序,用于解锁由 Adob​​e 产品(如 LiveCycle Designer 或 InDesign)创建的 PDF 表单文件。如果 PDF 表单被非 Adob​​e 应用程序更改或修改,它可能会生成错误,将其还原为简单文档。   Unlock_ALD 有一个用于 UI

1415329-20-2,Ald-CH2-PEG4-t-butyl ester,CHO-PEG4-COOtBu

英文名称:Ald-CH2-PEG4-t-butyl ester        CHO-PEG4-COOtBu 化学式:C15H28O7 分子量:320.4 CAS:1415329-20-2 纯度:95% 储存条件:-20°C 运输:环境温度 结构式: Ald-CH2-PEG4-叔丁酯是一种与含氨基氧基的分子反应的PEG连接剂。可在酸性条件下去除叔丁酯以进一步共轭。 其他列表:

882518-89-0,Tos-PEG3-CH2CO2tBu修饰基团包括DSPE、NH2、COOH、MAL、OH、SH等

英文名称:Tos-PEG3-CH2CO2tBu 化学式:C17H26O7S 分子量:374.5 CAS:882518-89-0 纯度:95% 储存条件:-20°C 溶解性:DMSO、DCM、DMF 运输:环境温度 结构式: 陕西新研博美生物科技有限公司常规修饰性聚乙二醇,非常规基团修饰性聚乙二醇(PEG)定制合成,修饰基团包括(DSPE、NH2、COOH、MAL、OH、SH

Atomic Layer Deposition原子层沉积技术

Atomic Layer Deposition原子层沉积技术 原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition)是一种原子尺度的薄膜制备技术。可以沉积均匀一致,厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展,器件和材料的尺寸要求不断地降低,同时器件结构中的宽深比不断增加,要求所使用材

ALD技术,相机去噪,图像传感器

ALD技术,相机去噪,图像传感器 1. 作为镜片的防反射涂层技术被关注的ALD(atomic layer deposition)的引入趋势。 (a)为什么需要一种新的防止反射的涂层技术? ALD被认为是最有前途的防止反射的涂层技术吗? 原子层沉积(ALD)是将物质以单原子膜形式一层一层镀在基底表面的技术。原子层沉积是化学

CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域

CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域 显示 用于OLED、QD-OLED、甚至未来QLED的薄膜封装,通过有机/无机叠层结构的保护,水汽渗透率WVTR可降至10-5g/m2/day,保证OLED或者量子点发光材料的稳定。另外量子点光学膜QDEF也需要WVTR小于0.1的阻隔膜,保护量子点不受水氧破坏。   微电子 在包括miniL

原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)微电子制造铜金属化的研究进展

原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)微电子制造铜金属化的研究进展 Atomic Layer Deposition (ALD) and Chemical Vapor Deposition (CVD) of Copper-based Metallization for Microelectronic Fabrication                                                

CVD-ALD前驱体材料

CVD-ALD前驱体材料 ALD前驱体源瓶特点是什么   ALD前驱体源瓶(起泡器)用于固态、液态及气态超纯物料类的封装,涉及微正压、常压、中低压的危险化学品,对源瓶的安全性和洁净度提出严苛的要求。 ALD前驱体源瓶特点: 所有管件采用316L不锈钢,内部经400目机械抛光和电化学抛光,Ra

原子层沉积技术

原子层沉积技术 原子层沉积技术 原子层沉积,ALD 是一种适合于研制最新的和前沿性的产品的薄膜制备技术。原子层沉积 ALD 也是一种用于纳米技术研究的有效方法。典型的原子层沉积应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。针对目前的市场需要,Beneq 通过