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10N60-ASEMI高压MOS管10N60
编辑：ll 10N60-ASEMI高压MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的10N60 MOS管 ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片10N60-ASEMI中小功率MOS管10N60
编辑-Z 10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A，连续漏极电流(ID)为10A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。10N60的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.5V，反向C#技术栈入门到精通系列10A——WPF下的MVVM实现
阅读目录 1、介绍2、核心搭建Core3、框架完善 3.1、基础数据绑定 3.2、事件绑定 3.3、转换器使用 3.4、添加日志页 3.5、模型业务调用 3.6、切换可视页面 3.7、查询数据分页显示4、框架使用5、参考 返回系列文章目录 案例代码下载 1、介绍 MVVM(MDC-DC宽输入电压大电流10A降压型恒压恒流控制器使用方法及电路应用参考
微电半导体 WD5110支持宽电压输入，开关降压DC-DC控制器。最高输入电压可超过150V， 该芯片具有低待机功耗、高效率、低波纹、优异地母线电压调整率和负载调整率等特性。支持大电流输出，输出电流可达10A以上。 同时该芯片支持输出恒压和输出恒流功能，通过设置CS电阻可设置输出恒流Go 语言中的赋值运算符
Go 语言中的赋值运算符 最常用的赋值运算符是等号“=”，表示把右边的结果值赋值给左边的变量。其他的赋值运算符大多都是算术运算符和赋值运算符的简写。 运算符说明示例展开形式=将右边值赋值给左边a=100a=100+=将左边值加右边值a+=10a=a+10-=将左边值减右边值a-=10a=a-10*=MBR10100FCT-ASEMI全塑封肖特基二极管绝缘性好
编辑：ll MBR10100FCT-ASEMI全塑封肖特基二极管绝缘性好 型号：MBR10100FCT 品牌：ASEMII 封装：TO-220 电性参数：10A 100V 正向电流：10A 反向耐压：100V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：肖特基二极管 浪涌电流：120A 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 肖特基二极管MBR10100FCT参数MBR10200FCT-ASEMI塑封MBR系列肖特基二极管
编辑：ll MBR10200FCT-ASEMI塑封MBR系列肖特基二极管 型号：MBR10200FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：10A 电压：200V 正向电压：0.87V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：86MIL 漏电流：10uA 特性：肖特基二极管 工作温度：-55~+170℃ MBR10200FCT的电性参数：最大正向平均电流10A；最大反向峰值电压200V M2021-05-21
第五次实验 课上的两个实验 例题1建立一个2-4译码器的门级模型,有数字电路基础的读者应该不会陌生。所谓的2-4译码器就是当输入的两个信号为00、01, 10,11四种不同的组合时,输出端的四个端口可以输出唯一确定的信号来对这四种组合进行译码。作为门级建模,不需要掌握其基本功