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《炬丰科技-半导体工艺》不同沉积介质对颗粒粘附和去除的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：不同沉积介质对颗粒粘附和去除的影响 编号：JFKJ-21-772 作者：炬丰科技 摘要 本研究的目的是探讨不同沉积介质对颗粒粘附和去除的影响。使用不同的悬浮介质:空气、异丙醇IPA和去离子水，将50 μm的聚苯乙烯胶乳PSL颗粒沉积在涂有热氧化物Atomic Layer Deposition原子层沉积技术
Atomic Layer Deposition原子层沉积技术 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术。可以沉积均匀一致，厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，要求所使用材CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域
CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域 显示 用于OLED、QD-OLED、甚至未来QLED的薄膜封装，通过有机/无机叠层结构的保护，水汽渗透率WVTR可降至10-5g/m2/day，保证OLED或者量子点发光材料的稳定。另外量子点光学膜QDEF也需要WVTR小于0.1的阻隔膜，保护量子点不受水氧破坏。 微电子 在包括miniL原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）微电子制造铜金属化的研究进展
原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）微电子制造铜金属化的研究进展 Atomic Layer Deposition (ALD) and Chemical Vapor Deposition (CVD) of Copper-based Metallization for Microelectronic FabricationCVD-ALD前驱体材料
CVD-ALD前驱体材料 ALD前驱体源瓶特点是什么 ALD前驱体源瓶（起泡器）用于固态、液态及气态超纯物料类的封装，涉及微正压、常压、中低压的危险化学品，对源瓶的安全性和洁净度提出严苛的要求。 ALD前驱体源瓶特点： 所有管件采用316L不锈钢，内部经400目机械抛光和电化学抛光，Ra原子层沉积技术
原子层沉积技术 原子层沉积技术 原子层沉积，ALD 是一种适合于研制最新的和前沿性的产品的薄膜制备技术。原子层沉积 ALD 也是一种用于纳米技术研究的有效方法。典型的原子层沉积应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。针对目前的市场需要，Beneq 通过