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SRAM的工作原理图解

SRAM六管结构的工作原理 注：其实CMOS静态反相器等价于一个非门！SRAM cell 6T等价于SR锁存器（也就是RS触发器） 6T：指的是由六个晶体管组成，如图中的M1、M2、M3、M4、M5、M6. SRAM中的每一bit存储在由4个场效应管（M1, M2, M3, M4）构成两个交叉耦合的反相器中。另外两个场效应管（M5, M6）是存

数字集成电路:电路、系统与设计（第二版）笔记char3-char5

char3 ： 【体效应】 【反型层】【等效电阻】    char3 【二极管】    char5 反相器 传播延迟 t    char5 反相器 功耗P    如理解有误，请随时留言讨论。

linux（五）BIOS和CMOS

1 CMOS MOS管(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)，分为P沟道MOS和N沟道MOS。 MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor互补金属氧化

Verilog 练习 反相器

 代码如下 //2021-11-1 //反相器 `timescale 1ns/10ps module inv(A,Y); output Y; input A; assign Y=~A; endmodule //----testbench of inv------ module inv_tb; reg aa; wire yy; inv inv(.A(aa),.Y(yy)); initial begin aa=0; #10 aa=1; #10 aa=0; #10 aa=1;

反相器的Cadence仿真

1.启动虚拟机，打开library manager，新建库，并命名为RFIC_sim，并将该库链接到smic13mmrf_1233。 2.在RFIC_sim中新建一个Cell View，命名为INV。在原理图中放置PMOS和NMOS两个器件，设置PMOS和NMOS的宽长比之比为2:1，因为PMOS和NMOS的电子迁移率是不一样的，在相同的开启电压下，它们的导

08 半导体二极管门电路

小模拟大数字  时分复用、空分复用                两个反相器提高了输入的0和1的质量            

003 数电 (3) : 门电路

一、开关电路 　　单开关电路的S导通使 V0 为低电平时，电源电压 Vcc 全部加在电阻 R 上，功耗比较大，因此又出现了互补开关电路解决这个问题。       二、二极管 1、二极管开关电路             2、二极管与门             3、二极管或门              

CMOS搭建反相器、与非门和或非门以及OD和三态门

基本概念 CMOS（互补对称式金属-氧化物-半导体电路），具有源极（S）、栅极（G）和漏极（D）;源极（S）、栅极（G）的回路为输入回路，漏极（D）和源极（S）之间的回路为输出回路； 1. N沟道增强型MOS管 采用的是P型衬底，源极（S）、栅极（G）的回路需要正向电压，输出回路才能开启；需要将衬底B接源极或者接到系统的最低电位；衬底

反相器

静态特性 Nmos反相器和Cmos反相器输出高低电平水平是不一样的、cmos静态功耗为零   数字电路不希望在C，而模拟电路希望在C(微小输入变化，输出很大) 翻转点   噪声容限   静态功耗、动态功耗   动态指标： 上升沿  

盐度计方案介绍

这是我之前设计的一款盐度计，基本电路非常的简单，但是想要精度达到要求是有些挑战性的。 首先看我设计的盐度计精度测试报告：精度参考的是市面上精度最好的速为盐度计，可以看出我设计的这个精度比速为的还要好一点。这个标准盐溶液是用光学盐度计配置的。 1、基本电路原理介绍 如下

FPGA LUT理解

　　　　对于FPGA，总会提到查找表，即LUT(Look-up Table)，很多介绍FPGA组成结构方面的资料，最多也就提到LUT大多是基于RAM的，而这个RAM又是什么RAM？他的组成又是什么？LUT的实现是软件，还是纯硬件？ 　　　　最近在看《FPGA原理和结构》，书中提到LUT是由SRAM构成的，而SRAM则是由CMOS反相器、晶体

Candence Virtuoso进行基本的电路设计

这篇博客记录一下virtuoso中进行CMOS反相器和静态寄存器的电路设计以及功能仿真，适合入门。还做了版图设计，但是自己对原理不是不清楚，在此就不记录了。 virtuoso电路设计环境基本教学一、反相器1.1 基本电路1.2 电路设计（virtuoso基本使用）1.2.1 创建库和单元1.2.2 进行电路设计

静态存储SRAM设计

SRAM即静态随机存取存储器。它是具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路便能保存它内部存储的数据。在工业与科学用的很多子系统，汽车电子等等都用到了SRAM。现代设备中很多都嵌入了几千字节的SRAM。实际上几乎所有实现了电子用户界面的现代设备都可能用上了SRAM，如数码相机、手机、音

反相器

画pmos 画有源区 （OD）3.6 6 画栅（POLy）上下扩出0.6u 添加一个pselect层（PIMP）覆盖整个有源区0.6u，然后在外围画nwell，覆盖有源区1.8u 衬底连接：pmos的衬底（nwell）必须连接vdd，画有源区1.2u 1.2u，外层覆盖nselect（NIMP）扩0.6u，最后将nwell拉长包裹。          布线 pmos必须接到输入信号和电