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巨量转移概述

作者:互联网

 

 

一、概述

  巨量转移的难点在于,如何提升转移良率到99.9999 %(俗称的”六个九”),且每颗芯片的精准度必须控制在正负 0.5 μm 以内。

  传统的LED在封装环节,主要采用真空吸取的方式进行转移。但由于真空管在物理极限下只能做到大约80μm,而MicroLED的尺寸基本小于50μm,所以真空吸附的方式在MicroLED时代不再适用。

  业界诞生出至少三种精准抓取(Fine Pick/Place)的技术:“静电力”、“凡德瓦力”和“磁力”、选择性释放(Selective Release)、自组装(Self-Assembly)及转印(Roll Printing)

1.静电力

静电力采用具有双级结构的转移头,在转移过程中,分别施于正负电压,当从衬底上抓取LED时,对一硅电极通正电,LED就会吸附在转移头上,当需要把LED放到既定位置时,对另外一个硅电极通负电,即可完成转移。

 

阵营代表: 苹果并购的 LuxVue/ Mikro Mesa

2.凡德瓦力

  转移方式:使用弹性印模,结合高精度运动控制打印头,利用凡德瓦力,通过改变打印头的速度,让LED粘附在转移头上,或打印到目标衬底片的预定位置上。

 

3. 磁力

在切割之前,在Micro LED上混入诸如铁钴镍等磁性材料,利用电磁吸附和释放。

4.选择性释放派

选择性释放,直接从原有的衬底上将LED进行转移,目前实现方式最多的是图案化激光剥离(p-LLO),即使用准分子激光,照射在生长界面上的氮化镓薄片上稀疏分离的模具大小区域,再通过紫外线曝光产生镓元素和氮气,做到平行转移至衬底,实现精准的光学阵列。

 

 

5.自组装派

 利用刷桶在衬底上滚动,使得LED置于液体悬浮液中,通过流体力,让LED落入衬底上的对应井中。

 

6.转印派

 

7.

标签:静电力,LED,瓦力,衬底,概述,巨量,凡德,转移
来源: https://www.cnblogs.com/Sonny-xby/p/11413675.html