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《华林科纳-半导体工艺》硅上多晶磷化铟的生长和表征
本文介绍了一种以In2O3或In为中间体，在硅片上直接合成多晶InP的方法。用粉末x光衍射分析了中间体和最终多晶磷化铟的晶体质量和转化率。根据中间材料的类型和衬底取向硅，发现微晶尺寸是变化的从739纳米到887纳米。用原子力显微镜研究了多晶磷化铟的表面形貌。发现磷化铟薄膜的均方《炬丰科技-半导体工艺》湿-化学处理为纹理化的硅异质结太阳能电池的改善的表面钝化
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：湿-化学处理为纹理化的硅异质结太阳能电池的改善的表面钝化 编号：JFKJ-21-1305 作者：华林科纳 硅异质结(SHJ)太阳能电池因其成本低、效率较高而不断受到更广泛的关注。这些太阳能电池的一个重要方面是在c-硅晶片的两侧加入固有的氢化非晶硅(a-LED芯片，应用品，蓝宝石衬底，集成电路，UV
LED芯片，应用品，蓝宝石衬底，集成电路，UV 三安主要从事全色系超高亮度LED芯片的研发，生产与销售，产品性能稳定，品质优异。 产品覆盖 三安能够提供全波长范围的LED，产品可覆盖全部可见光和不可见光谱。 GaN 产品 照明 倒装 紫外 显示屏 手机背光 灯丝灯 垂直 GaAs 产品 显示屏产