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AVR下载器接口定义,Arduino开发板下载BootLoader
ISP板目标板 MISO / 12 MISO / ICSP-1 Vcc / 5V Vcc / ICSP-2 SCK / 13 SCK / ICSP-3 MOSI / 11 MOSI / ICSP-4 10 Reset / ICSP-5 GND GND / ICSP-6关于USB转串口CH340的V3脚接法研究及总结
近日研究USB转串口有关接口技术问题。 刚好发现网上有不少人对CH340G V3引脚究竟该怎么接有疑问。 总结如下: CH340手册V3引脚说明解读: 1.首先,这个V3脚是一个连接到内部跟电源有关的引脚; 2.当340供电电压VCC使用3.3V时,直接接VCC; (例如芯片外部只有3..3V可用时) 3.当340供电VCC和VDD
一、解释 VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压;VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压;VEE:负电压供电;VPP:编程/擦除电压。 二、说明 1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常BJT放大电路设计
总体思路:Vcc~(1/2 Vout(pp))~Vc~(1/2 Vout(pp))~Ve,即Vc不能太靠近Vcc,也不能太靠近Ve,都要留下1/2 Vout(pp)的空间 一共要确定: 1)5个电阻:Rc,Re,Rb1,Rb2,Re'(与射极旁路电容Ce串联的电阻); 2)5个电容:低通滤波电容C1,高通滤波电容C2,射极旁路电容Ce,去耦电容C3,C4; 3)Vin的Vpp大小。 为了抑制温度变化带共射电路Rc取值不当会引起集电极输出波形被削
共发射级电路中,Rc过大,会削去输出波形的下侧;Rc过小会削去输出波形的上侧,这是为何? 当Rc过大时,如果输出幅值变大(意味着vi变大),则输出底部被削,如下图绿色线的虚线就是被削去,黑色波形为输出振幅不是很大时输出波形是正常的。 (1)首先,Vces为管子本身的消耗压降,ve为发射级的压降,所ESP32读取DS18B20温度
最近收到DS18B20温度探头传感器,如图: 感觉是一件比较简单的温度传感器,三根线: 不带屏蔽输出引线:红色(VCC),黄色(白色)(DATA),黑色(GND) 带屏蔽的输出引线:红色(VCC电源线),黄色(DATA信号线),白色(GND地线) 我的是带屏蔽线的,所以红色VCC接ESP32的VIN口(5V供电),白色GND接ESP32的GND,黄色信汽车电子专业知识篇(九)-charge pump的原理介绍
1 电荷泵是什么? 电荷泵(charge pump),也称为开关电容式电压变换器,是一种利用“快速”(flying)或“泵送”电容(非电感或变压器)来储能的DC-DC变换器。 电荷泵能使输入电压升高或降低,也可以用于产生负电压。其内部的FET开关阵列以一定方式控制快速电容器的充电或放电,从而使输入电压【分立元件】滤波电容和去耦电容有啥差异?作用是什么?
在星球文章:【电子通识】为什么IC需要自己的去耦电容? 中我们了解到。用电芯片电源网络附近经常都放置了去耦电容,其主要的原因是防止外部电源噪声影响了IC的性能和防止IC产生的噪声传导到电源线上,影响到的其他用电芯片。 其实电路中绝大部分的干扰都是来自电路自身的电源线(VCC和G资产监测设备研发中,遇到的VCC、VDD、VEE、VSS都是什么意思?
近期笔者在进行资产监测设备研发,随着物流行业的飞速发展,该行业的问题也逐渐显露,由于该行业主要工作都在运输中,所以物流行业对于车辆、对于运输的资产都很难进行管理监控,而资产监测设备可以帮助该行业解决这一问题。 在进行资产监测设备研发时,需要对硬件中的一些电流电压进行PMOS做固态继电器,PMOS做高侧双向开关电路,PMOS防电流倒灌电路,PMOS电源防反接电路
用MOS做高侧开关时,PMOS比NMOS更便于控制:1、不用额外的电荷泵升压;2、只要将栅极拉低和置高就能控制通断。随着半导体工艺的进步,PMOS在导通内阻上的参数也逐渐好转,使得PMOS在电流不是特别大、对压降不是特别敏感的高侧开关场合,拓宽了应用。 下面列举一些PMOS做电源防倒灌、防电TL494+ir2104构建的升降压,恒压恒流,限压限流设计方案
基础的开关电源理论完成以后,就要实际制作电路板并调试了。TL494+ir2104的组合是我当时几个月来最头痛的组合,实验室负责人总会给出各种各样的调试要求,并提出更高的标准。从普通的升降压的恒压电路,到恒流电路,再到限压限流电路,让人很是头痛。不过,现在看来都是一个套路,其中UART与SIM卡通信电路设计
本文介绍在没有专用的SIM卡接口的情况下,使用UART与SIM卡进行通信的电路设计。 参考连接一:https://blog.csdn.net/weixin_42151788/article/details/108389068 参考连接二:https://www.cnblogs.com/utank/p/5463269.html 电路如下 SIM卡座引脚,一般有如下信号 1. C1---VCC电最详细的L298N模块使用说明
在网上查L298N的使用说明通常写的都比较模糊(主要是供电部分比较模糊),虽然照着可以使用,但发现很多地方其实都没有说清楚,于是查找资料,自己来整理一下。 上图就是这个模块,核心的芯片是L298N,此外还有板载7805的5v稳压模块。因此要了解这个模块先要从L298N开始。 这是一个没有稳压电路2021-05-27
模电第十一讲—— 555定时器 ㈠定义:它是一种应用方便的中规模集成电路,广泛用于信号的产生、变换、控制与检测。因为它是3个5KΩ电阻分压,所以被叫做555定时器。 『+VCC』4.5~16V 『CO』电压控制端 『TH』高电平触发端 『TR』低电平触发端 『R非』复位端,低电平有效 『D』放电心形流水灯焊接
心形灯焊接 实物图原理图PCB板子元器件清单**问题:** 实物图 原理图 (灯那里是原理图画漏了) 原理图的晶振在PCB布局的时候放在了单片机的里面,那里有多余的位置,看起来更加的美观 PCB板子 看!晶振在那里 元器件清单 问题: IN4007(二极管)的作用是什么(负极有白边)??? 从原power rails 'GND' and 'VCC/VDD' are interconnected in net VCC
参考链接:https://my.oschina.net/u/4337072/blog/3333139 1、显示隐藏引脚 Template -> Set Design Colours -> 勾选show hidden pins 隐藏引脚默认是灰色 2、检查有没有隐藏引脚连接在一起的情况,有则删去中间的连线。 例如,我的原理图中,因为元件摆放的距离过近,导致两个元件的隐HP39GS 硬改添加Flash(w25q32)
HP39GS的物理存储结构由两部分组成:一是Nor Flash存储的系统固件,二是SRAM存储的用户程序。 Nor Flash型号为:SST39VF800A 70-4C-EKE容量1MB SRAM型号为:LY62L12816ML 70LL 1035 128*16bit 容量256KB 实际上HP39GS 2.22固件占972KB,Flash上空余约52KB,由于flash中的内容在Aplet程序中仅硬件电路中VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别
电路中GND和GROUND、VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别一、解释DCpower一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(机器人团队第三周学习总结
本周我初步了解了51循迹小车的系统原理,控制模块最小系统,电机驱动模块,电源模块,循迹模块,超声波测距模块,并用软件实现了小车前进实验。 上周进行了小车的安装,看上视频教程一步一步做也很简单。小车底板每一部分的功能大致是这样: 接下来就是调试智能小车。首先是黑白线识别模块VDD,VSS,VCC 区别。
这段时间在修美的 FS40-8AR 电风扇,这里记录一下修理过程中我不明白然后查询到答案的知识点。后面有成果后,准备组织一篇正式的内容。 VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压。VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路关于如何使用stc下载器下载stm32程序
刚开始学习的是51单片机,这次毕设老师让使用的是stm32的芯片,因为之前买过正点原子的mini开发板和st-link下载器,所以我尝试直接按照图片sw模式与最小系统板连接。结果没法下载,我也不知道为什么。 之后有一个同学和我说用之前我使用过的stc15的下载器也能下载stm32的程序。用esp8266-01(esp-01)烧录固件注意事项
esp-01是较小的8引脚的接口, 下载时使能端,VCC连接VCC。 gpio0,GND连接GND 使用时,使能端,VCC连接VCC。 GND连接GND。 下载时选择 闪存大小:1M ,方式选择QIO555
NE555引脚图与内部功能结构 时间:2017-12-07 关键字:NE555 NE555引脚图 555定时器 555定时器是电子工程领域中广泛使用的一种中规模集成电路,它将模拟与逻辑功能巧妙地组合在一起,具有结构简单、使用电压范围宽、工作速度快、定时精度高、驱动能力强等优点。555定时HK1225-7EQ通用NVRAM非易失性存储器使用说明书资料
一. 引脚排列 二. 读取模式 HK1225在WE(写使能)被禁止(high)且CE(片选)被选中(Low)且CE2(片选2)被选中(High)并且OE(读信号)被使能(Low)执行一次读循环。13个地址输入线(A0-A12)指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后8位数据输出驱动器将在tACC时序内得到有效数据。 三、写模式 地模块学习笔记-IR2110/IR2130(上)
引言 IR2110 / IR2113是高压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达500或600伏。 一、关键参数 1.1 IR2110关键参数 根据上面参数可