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结型场效应管的结构、特性、参数
结型场效应管的结构、特性、参数 本文介绍的定义 一、N沟道结型场效应管结构 二、N沟道结型场效应管特性曲线 本文介绍的定义 场效应管、结型场效应管、N沟道结型场效应管的结构、耗尽层、栅极、源极、漏极、N沟道结型场效应管、夹断电压、预夹断、输出特性、可变电绝缘栅型场效应管的结构、特性、参数
绝缘栅型场效应管的结构、特性、参数 本文介绍的定义 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 二、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 三、N沟道耗尽型MOS场效应管结构和特性曲线 本文介绍的定义 绝缘栅型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管、耗尽型场效应管、增强型场效应管08 MOS管的工作原理
因为在NPN的MOS管的沟道中，自由电子占多数，所以是N沟道，沟道的宽度跟UGS的大小相关，UGS越大，沟道越宽。 沟道的宽窄决定电阻的大小，越宽电阻越小。 用电压得到了一个可变电阻器。所以可以用Ugs控制Rds. Ugs在预夹断之后进入恒流区，可以控制Id。P15 MOSFET伏安特性和静态分析
Ugs的工作在小于0大于夹断电压。本图夹断电压为-3VMOS管恒流区（饱和区也就是放大区）和三极管（恒流区放大区）的区别以及MOS管可变电阻区和三极管饱和区区别
再增一个导通工作区或者模式Uds=0注意不是没加电压的值是0，而是DS外接电阻，整体有电压，当DS所在电路需要提供的电流最大都满足不了Ugs要求是DS导通，DS上面0压降，一般情况导通时电流最大，饱和次之，变阻区电流最小，类似三极管 MOS管的恒流区（饱和区）是放大区 三极管的恒流区也是放大区，但MOS管入门详解-MOS场效应管-MOSFET芯片-IGNT芯片-聚芯芯片
MOS管入门 大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用，指定头大。前几天偶然看见一篇文档，对MOS管的使用总结的很透彻，所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。 三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D