MOS管入门详解-MOS场效应管-MOSFET芯片-IGNT芯片-聚芯芯片

MOS管入门
大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用，指定头大。前几天偶然看见一篇文档，对MOS管的使用总结的很透彻，所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。

•   三个极怎么判定
  

G极(gate)—栅极，不用说比较好认
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边

•   N沟道还是P沟道
  

箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道

•   寄生二极管方向如何判定
  

不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：
要么都由S指向D，要么都有D指向S

•   MOS开关实现的功能
  

1>信号切换
2>电压通断

•   MOS管用作开关时在电路中的连接方法
  

关键点:
1>确定那一极连接输入端，那一极连接输出端
2>控制极电平为？V 时MOS管导通
3>控制极电平为？V 时MOS管截止

NMOS：D极接输入，S极接输出
PMOS：S极接输入，D极接输出
反证法加强理解
NMOS假如：S接输入，D接输出

由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用
PMOS假如：D接输入，S接输出

同样失去了开关的作用

•   MOS管的开关条件
  

N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|

•   相关概念
  

BJT
Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管，BJT是电流控制器件；
FET
Field Effect Transistor 场效应晶体管，FET是电压控制器件.
按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类
按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

•   MOS管重要参数
  

①封装
②类型（NMOS、PMOS）
③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压）
④饱和电流Id
⑤导通阻抗Rds
⑥栅极阈值电压Vgs(th)

聚芯芯片科技（常州）股份有限公司 新三板上市公司【股票代码833898】

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标签：增强型,场效应,晶体管,芯片,沟道,MOS,场效应管,Ugs
来源： https://www.cnblogs.com/jxxp/p/13909216.html