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SIC 模块FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 150A 1200V /FF08MR12W1MA1B11概述
概述FF08MR12W1MA1B11 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优汽车主机厂自研芯片
汽车主机厂自研芯片 全球汽车行业缺芯 自2020年底以来，全球制造业如今面临的最重要问题之一，就是“缺芯”。从汽车到智能手机，再到游戏机生产商，大家叫苦不迭，这有可能是史上最严重的一次芯片短缺危机。其中，叫苦最多的莫过于汽车制造业。 最近，丰田、本田等日企，大众汽车，福特和通ROHM 第4 代SiC MOSFET 在电动汽车电控系统中的应用及其优势
ROHM 第4 代SiC MOSFET 在电动汽车电控系统中的应用及其优势 n引言 近年来，为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标，需要进一步普及下一代电动汽车（xEV），从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车（EV）领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱第三代电力电子半导体：SiC MOSFET学习笔记（三）SiC驱动方案
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动电流的要求 首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合，其JavaSE：在线考试系统（6） - 服务器接收客户端发来的消息并打印
1. 创建ServerView.java： 1 package com.lagou.server; 2 import com.lagou.model.UserMessage; 3 import java.io.IOException; 4 5 // 实现服务器的主功能 6 public class ServerView { 7 8 // 使用合成复用原则 9 private ServerInitClose sic; 10 11双脉冲仿真测试（LTspice搭建）
1.双脉冲测试原理 很多博主已经发布了大量有关双脉冲测试的意义、双脉冲测试原理等，顾在此不在赘诉，如有需要的小伙伴可以点这里。以下重点介绍在LTspice中双脉冲电路的搭建及可能遇到的问题。 2.搭建双脉冲测试Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT动态参数测试
1、功能范围： EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向RNA提取——高灵敏度Norgen SiC技术解决方案
传统的二氧化硅技术 VS 碳化硅技术 传统的基于二氧化硅的技术表现出偏向于捕获具有高GC含量的RNA和具有高分子量的RNA片段。然而，碳化硅技术已证明对所有RNA种类（包括小RNA；200 nt或更小的RNA）具有一致的结合亲和力。这为研究人员和临床医生提供了更完整的样本真实RNA图谱，从而避SemiQ（原GlobalPower）1200V/60A碳化硅二极管模块GHXS060A120S‐D3
SemiQ（2019年11月由GlobalPower更名为SemiQ）的1200V/60A碳化硅二极管模块GHXS060A120S‐D3已经成功应用于独立的直流快速充电站——Charge Point Express 250， 现在我们来了解一下这一产品： 该器件的主要特征 •SiC肖特基二极管 ‐零反向恢复 ‐零前向恢复 ‐温度无NOMA学习笔记
NOMA(非正交多址接入): （摘自《面向5G的非正交多址接入技术（NOMA）浅析》.张长青） 1.1基本原理： 在正交多址技术（OMA）中，只能为一个用户分配单一的无线资源，例如按频率分割或按时间分割，而NOMA方式可将一个资源分配给多个用户。NOMA技术的基础仍是成熟的OFMA技术，NOMA在同一个子