双脉冲仿真测试（LTspice搭建）
作者：互联网
1.双脉冲测试原理
很多博主已经发布了大量有关双脉冲测试的意义、双脉冲测试原理等，顾在此不在赘诉，如有需要的小伙伴可以点这里。以下重点介绍在LTspice中双脉冲电路的搭建及可能遇到的问题。
2.搭建双脉冲测试
图1双面测试电路图
此次仿真中选择CREE公司器件，其中MOSFET型号为：CPM2-1200-0080B（SiC）,二极管型号为：CPW41200S010B（SiC）。
在电路图中共有三个电压测试点分别是：out-1，out-2，out-3。
U1（SiC MOSFET）栅极加-15V电压保证此管处于关断状态。
电压源 v4、v5（25V）为 U1、 U2（SiC MOSFET）提供25℃的结温。（根据实际需要，大家可以设置不同的电压值，来测试不同结温度下管子的情况）
根据原理可知U2 源极电流在双脉冲测试中最大电流Imax = (1200V / 50µH)* 2µS 。
在本次仿真中，门极电阻设置为20Ω最合适（小伙伴们可以自行调试，一般初始值设为10Ω）。
3. 波形图
（1）脉冲信号
图2 双脉冲波形
图2是电压源V2产生的脉冲波形（测试点为out-1），其幅值为15V， 占空比50%，周期为2µs。
（2）栅极信号
图3 门极波形
图3 是开关器件U2门极信号波形，通过测试点out-2测试。
（3）Vde
图4 漏源电压波形
图4 是开关器件U2漏源电压波形，通过测试点out-3测试。
（4）Ic
图5 源极电流波形
（5）汇总（方便大家对比分析）
图6 对比分析
4.可能出现的问题
（1）电压源V3、负载电感L1、开关频率数值的设定
电压源V3的值一般根据datesheet给定值设定，有时在仿SiC MOFET 电压等级为1.2kV时，V3的值设定为540V。
L1负载电感一般情况下设定为50 µH。参考电感值: 50 µH ~ 200 µH
开关频率，可以根据开关器件、二极管datesheet额定电流来确定 I = （V3 / L1）* T（占空比为50%时，脉冲周期）
/*通过合理的设置这3个参数，确定Ic电流*/ （划重点）
/*在仿真过程中调整门极电阻R1的值可以强烈地影响该过程，可以影响Vge电压波形，Ic电流波形，Vde电压波形*/ （划重点）
由于作者水平有限，难免存在错漏之处，敬请广大读者批评指教。
标签：仿真,测试,波形,脉冲,LTspice,SiC,电压,out,搭建 来源： https://www.cnblogs.com/xut-mahaohao/p/14901440.html