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C#读取RTSP流并切录制视频
下载Nuget包:EMGU.CV(测试用版本:4.0.1.3373) ； public void InitVideo() { VideoCapture _capture = new VideoCapture("rtsp://admin:123456@192.168.1.237:554"); Thread.Sleep(100); VideoWriter videoWriterC#获取调用文件名，行号，方法
一.第一种方式 [DebuggerStepThrough] //跳过调式 static void Print(string str, [CallerFilePath] string filePath = "",//文件路径 [CallerLineNumber] int num = 0, //行号 [CallerMemberName] string nameQt 复杂分割窗怎么做？
复杂分割窗怎么做？ 1.先拖两个frame，作为分割窗的左右两半 2.分别在fram中拖拽一些需要的控件 3.选中fram，右键布局为HLayout 4.ctrl键加鼠标左键同时选中两个frame，右键布局选中使用水平分裂器布局 5.选中整体widget，右键布局，选中水平布局，将分裂器填充到整个widget 注意：使用分铁电存储器FRAM的特性
首先我们解释一下FRAM是什么。FRAM是电子元器件中的一种半导体产品。半导体产品有微处理器、逻辑器件、模拟器件、存储器件等各种器件。 FRAM是DRAM和闪存等存储设备之一。FRAM代表铁电随机存取存储器。它也被称为铁电存储器，因为它使用铁电元件来存储数据。 ◼四种FRAM特性 F铁电存储器FRAM的优劣势
FRAM凭借高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面的优势，被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品。FRAM产品的主要厂商包括英飞凌、日本富士通半导体和其他公司，这几家公司代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证，FRAM存储器产品已成功应用在汽车中外设驱动库开发笔记25：FM25xxx FRAM存储器驱动
在我们的项目中，时常会有参数或数据需要保存。铁电存储器的优良性能和操作方便常常被我们选用。FM25xxx FRAM存储器就是我们经常使用到的一系列铁电存储器，这一篇我们将讨论FM25xxx FRAM存储器的驱动设计、实现及使用。 1、功能概述 FM25xxx FRAM存储器是非易失性存储器，采用了先进FRAM技术简介
成熟的半导体存储技术分为两类：1. RAM是随机存取存储器，具有对称的读写访问时间。 2.非易失性存储器，传统上一直是ROM（只读存储器），直到浮栅技术出现。浮栅技术产生了电可擦除存储器，例如闪存和EEPROM。这些产品允许进行系统内编程，但读写访问时间不同。实际上，写访问时间可能比读访问时间IIS 反向代理
Server Fram 删除后，其它网站立马正常了！铁电随机存储器FRAM和磁性随机存储器MRAM
新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 铁电随机存储器（FRAM)FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。 当一个电场被加到铁电晶体时，中心Everspin MRAM MR25H40VDF替换富士通FRAM MB85RS4MT
Everspin是设计制造MRAM到市场和应用的翘楚，在这些市场和应用中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性是至关重要。MR25H40VDF是一个4194,304位MRAM设备系列，组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存解决方案。它们具有串行EEPEverspin MRAM MR2xH40xDF可替换CY15B104QN
Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，标称Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替换SPI-FRAM之前，有几个参数需要进行一些系统级分析，包括输出负载，启动时间以及加电和断电斜坡。 比较的可靠性考虑CY15B104QN FRAM架构采用铁电材料作为满足工作要求125°C的富士通车载FRAM
如今围绕车载设备的环境，废气排放得到严格限制，并要求低能耗，且安全装备等都是利用电子器件进行复杂控制。为了实现低能耗，就需要更多的使用断电后仍能保留数据的非易失性存储器。出现问题时因为重要的原始数据都须保留在存储器中，这就要求存储器具有高可靠性及快速写入的性能。 富士通