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Everspin MRAM MR2xH40xDF可替换CY15B104QN
Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，标称Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替换SPI-FRAM之前，有几个参数需要进行一些系统级分析，包括输出负载，启动时间以及加电和断电斜坡。 比较的可靠性考虑CY15B104QN FRAM架构采用铁电材料作为Everspin MRAM串行SPI MR25H256ACDF
总览 MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上将存储器阵列组织为32Kx8（ SPI）总线。宇芯串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行新型存储器与传统存储器介质特性对比
目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM，目前暂无商用产品，其代表公司是美国的Crossbar。 上述新型存储器已被研究了近数十年，只是相对于早已产业医疗应用中的Everspin MRAM存储器
日本Nikkiso是工业，在其血液透析机中使用MRAM作为机器性能参数以及各个患者参数的数据日志，是航空航天和医疗设备市场的领导者，其工程师选择EVERSPIN 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性，不需要电池或电容器，无限制的非易失性写耐久性以及在非易失性写周期和读取周期中都具有高everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力
everspin提供8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。 最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。 低容量的特性，使得MRAM组件更适用于嵌入式系统，其中everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力
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