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WinDbg常用命令系列---内存数据显示和对应符号显示d*s(dds、dps、dqs)
命令dds, dps, dqs显示给定范围内的内存内容。假定该内存是符号表中的一系列地址。相应的符号也会显示出来。 1 2 3 dds [Options] [Range] dqs [Options] [Range] dps [Options] [Range] 参数： Options指定一个或多个显示选项。可以包括以下任何选项，但不能指DDR工作时序与原理【转】
转自：https://blog.csdn.net/chenhongfeng1122/article/details/24876137 DDR SDRAM 全称为 Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流 SDRAM”。DDR SDRAM 在原 有的 SDRAM的基础上改进而来。下图是DDR和SDRAM的数据传输对比图 图上可以清楚的看到，DDR SDRAM可在一个时钟周期内DDR工作原理【转】
转自：https://www.cnblogs.com/shengansong/archive/2012/09/01/2666213.html DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。也正因为如此，DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM，成为当今的主流。本文只[转]DDR相关的一些基础知识
ODT （ On-DieTermination ，片内终结）ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破，所谓的终结（端接），就是让信号被电路的终端吸 收掉，而不会在电路上形成反射， 造成对后面信号的影响。 顾名思义， ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部，主板上不再有端接电路。在进入DDR 时代， DDR 内存对工作环境NXP RT1021应用笔记
1. FlexSPI driver API 1.1 API产生背景 i.MXRT系列都是Flashless（没有内置NVM）的芯片，所以BootROM必不可少。BootROM是个很特殊的东西，本质上它是一个完整的C代码写成的系统级App，这个系统级App专门用于从外部存储器中加载用户级App执行。简单地说，BootROM就是PC机里的BIOS。痞子衡嵌入式：串行NOR Flash的DQS信号功能简介
大家好，我是痞子衡，是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家分享的是串行NOR Flash的DQS信号功能。 串行NOR Flash在嵌入式里的应用相当广泛，既可用作数据存储也可以用作代码(XiP)存储，串行NOR Flash种类很多，最早期有Standard SPI（一线），后来发展到QuadSPI（四线），到现在OctalSPI或者HypeBZOJ4545 DQS的trie
Description DQS的自家阳台上种着一棵颗粒饱满、颜色纯正的trie。 DQS的trie非常的奇特，它初始有$n_0$个节点，$n_0-1$条边，每条边上有一个字符。并且，它拥有极强的生长力：某个i时刻，某个节点就会新生长出一颗子树，它拥有$s_i$个节点且节点之间的边上有一个字符，并且新生长出来的子树也是一Understanding DDR Memory Training
Understanding DDR Memory Training https://github.com/librecore-org/librecore/wiki/Understanding-DDR-Memory-Training The following is to aid in understanding both the electronic and software aspects of training up DDR memory controllers in 'librecore&DDR接口时序实例
DDR SDRAM接口的示意图： CAC总线表示Command，Address，Control Pin，时序相对简单，单向单周期，通过以下命令约束： create_generated_clock -name DDRCLK \-source [get_pins UPLL0/CLKOUT] \-divide_by 1 \[get_ports DDRCLK]set_output_delay -max 0.75 -clock DDRCLK [get_ports CADDR地址、容量计算、Bank理解
DDR3 地址线 DDR3为减少地址线，把地址线分为行地址线和列地址线，在硬件上是同一组地址线；地址线和列地址线是分时复用的，即地址要分两次送出，先送出行地址，再送出列地址。 一般来说列地址线是10位，及A0...A9；行地址线数量根据内存大小，BANK数目，数据线位宽等决定(感觉也应该是行地址决定DDR3中的ODT（On-die termination）
ODT是什么？为什么要用ODT？在查阅了很多资料并仔细阅读DDR3的官方标准（JESD79-3A）之后，下面来整理整理。 1、首先ODT是什么？ ODT（On-Die Termination），是从DDR2 SDRAM时代开始新增的功能。其允许用户通过读写MR1寄存器，来控制DDR3 SDRAM中内部的终端电阻的连接或者断开。在DDR3 SDRAM中，ODT功DDR3 内存计算详解
首先，我们先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。 DDR3的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确BZOJ 4545 DQS的Trie
BZOJ 4545 DQS的Trie 第一眼，这不是很裸嘛？ 直接构造广义SAM然后跑就行了啊。 动态询问 endpos 集合大小，LCT就好了嘛 （码...） 码了一半，然后发现，每次新加入一个子树啊，复杂度是假的啊？ 那这么说网上很多题解貌似都是假的。。。 （你按照dfs的顺序来加，不是就必然会被卡了嘛） 但是这个题不强制bzoj 4545 DQS 的 Trie
老年选手不会 SAM 也不会 LCT 系列 我的数据结构好菜啊 qnq 一颗 Trie 树，$q$ 次询问，每次可以是： 1.求这棵树上本质不同的子串数量 2.插入一个子树，保证总大小不超过 $100000$ 3.询问一个字符串在 Trie 树上出现过多少次，保证所有询问串总长度不超过 $100000$ sol： 第一问显然就是DDR电源硬件设计要点
1. 电源 DDR的电源可以分为三类： a、主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。 有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序