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日常记录(98)记录

APB总线的版本 根据APB VIP的功能,APB3 Slave支持了PREADY、PSLERR信号。而APB2文档里未提及。 APB4又支持PPORT信号,PSTRB信号。 寄存器测试步骤 复位值检查是否符合要求; 全部写入ff值; 全部写入aa值; 全部写入55值; 所有寄存器随机写入检查。 地址黏连的问题检查:写入某位置后,后检查

模拟集成电路实践记录_MOS的特性曲线

模拟集成电路实践记录 本实践记录以北京理工大学微电子实验室培训教程为参考,结合我的个人学习经历和工作方向进行了一定的思考和整理。 我本科阶段参与的竞赛主要为数字方向,对于算法,单片机,FPGA,数字前后端花了很多时间去学习课外的知识以及参与实践,并感到裨益匪浅。但模拟方向只是

模拟CMOS集成电路学习笔记——MOS器件物理基础

后续文章大多是基于NMOS器件来讲解的,但是对于PMOS都很相似,且两种MOS性能上各有优劣,不是说只讲NMOS就是说NMOS好 CMOS功耗与速度 ①开关状态nmos管:输入高电平,输出低电平输入低电平,输出高阻 ②开关状态pmos管:输入高电平,输出高阻输入低电平,输出高电平 单个nmos逻辑:输入低电平时:n

MOS管参数计算

设计电路尺寸时,需要用到萨支唐公式,那么如何得到公式中的Vth和unCox呢? 法1:看工艺的model,一般可以直接找到PMOS和NMOS的Vth0,u0和tox,根据下列公式由tox计算得出Cox, 法2:搭单个管子的电路,DC扫描栅极输入电压,得到电流值,用matlab处理得到拟合线性曲线,根据斜率和截距,计算unCox、upCox

IC基础知识(一)CMOS器件

目录 1、MOS晶体管结构与工作原理简述 2、CMOS单元电路与版图 3、CMOS门电路 4、CMOS的功耗表示 微信公众号 ​ 作为一个微电子专业的ICer,应该都学过一些基本的器件知识,今天就来聊聊基本的CMOS器件及其电路。   今天的主要内容如下所示:     ·MOS晶体管结构与工作原理简

模电非基础01——从一种常见的防反接,上电缓启动,过压保护电路集成电路讲解再到MOS管常用技巧讲解

       防反接电路拓扑: 一.采用二极管进行防反接 但是大电流肖特基压降较大,如果用于大电流电路所消耗的功率会非常大,系统热功率也会很大,不适用与对功率或者工作环境有较为严苛的要求的使用环境。我们一般使用MOS管进行防反接保护。 二.利用MOS管进行保护 1.选用NMOS管还是PMO

智能小车之电源板电路设计分析

  一。输入接口        XH插座用了接锂电池。注意正负极。   DC5.5-2.1mm接口,一般用12V,1A电源适配器。        二。输出接口                  共有5种电源电压输出:VCC,5V-5A,3.3V-5A,5V-1A,3.3V-1A   VCC可以给电机供电   5V-5A可以给大电流的设备

MOS管驱动电路分析及详解-KIA MOS管

** MOS管驱动电路** 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种

MOS管

1.pmos和nmos 三个极判断 2.Pmos和Nmos 识别 3.pmos和nmos 寄生二极管方向判断 4.电路的接法 D极和S极这两个引脚一定是输入和输出,不论是pmos还是nmos,输入总是与寄生二极管的方向是相反的(输入总是与s极交叉的那个箭头方向相反) 5.导通条件

MEDICI仿真NMOS器件晶体管语法笔记

MEDICI仿真NMOS器件晶体管   TITLE     TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET 给本例子取的标题,对实际的模拟无用 COMMENT语句表示该行是注释 MESH      SMOOTH=1 创建器件结构的第一步是定义一个初始的网表(见图1),在这一步中网表不需要定义得足够精确,只需

MOS管寄生二极管方向判断,看完醍醐灌顶

 1、MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流;而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。   MOS管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增

MOS管当开关控制时,为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管?

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位