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MB10M-ASEMI整流桥MB10M
编辑-Z MB10M在MBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款插件整流桥。MB10M的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10M采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB10M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.0V，其MB10M-ASEMI整流桥MB10M
编辑-Z MB10M在MBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款插件整流桥。MB10M的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10M采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB10M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.0V，其