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ASEMI整流桥GBP206~GBP210内置50MIL芯片
编辑-Z GBP206~GBP210系列在GBP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款内置GPP扁桥。GBP206~GBP210的浪涌电流Ifsm为60A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP206~GBP210系列都是采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBP206~GBP210系列的电性参数是：正ASEMI整流桥GBP307~GBP310适配电脑电源
编辑-Z GBP307~GBP310系列在GBP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款内置GPP扁桥。GBP307~GBP310的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP307~GBP310系列都是采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBP307~GBP310系列的电性参数是：正ASEMI整流桥GBU808品质家电用桥堆
编辑-Z GBU808参数描述 型号：GBU808 封装：GBU-4 特性：超薄扁桥 电性参数：8A 800V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：8A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：95 MIL 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：5ua 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：4 GBU808的电性参数：正向平均电流8A；反向峰值电压800V GBU808的ASEMI整流桥GBU808品质家电用桥堆
编辑-Z GBU808参数描述 型号：GBU808 封装：GBU-4 特性：超薄扁桥 电性参数：8A 800V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：8A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：95 MIL 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：5ua 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：4 GBU808的电性参数：正向平均电流8A；反向峰值电压800V GBU808的ASEMI桥堆ABS210 小体积贴片整流桥
编辑-Z ASEMI品牌ABS210采用GPP技术制作大芯片，芯片尺寸为60MIL，ABS10的电气参数为正向电流2.0A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.1V，采用GPP芯片材料保证4芯片配置下，ABS10的漏电流（Ir）仅为5uA，恢复时间（Trr）可达500ns！ 型号：ABS210 电性参数：2A，1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：2A 芯片个数：4