首页 > TAG信息列表 > EEPROM
EEPROM的工作原理
EEPROM（Electrically Erasable Programmable read only memory）即电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失（不挥发）存储芯片。 EERPOM的基本结构有几种，这里讲解比较常用的FLOTOX管结构，如下图所示： FLOTOX（Floating Gate Tunneling Oxide）MOS管即浮栅隧道氧化层晶体管，它是在标EEPROM存储功能验证
在飞凌RT1052开发板上，配有一个I2C接口的EEPROM，其型号是24C02，容量为256字节。由于容量较小，因此只适应于参数的存储，而不适于做硬字库来使用。 为验证24C02的读写功能，特为它配上TFT串口屏来进行信息显示，其验证效果如图所示。<ignore_js_op>24C02读写验证效果现实验证效果的EEPROM电路设计
1、存储器的分类 —般根据掉电丢失来划分的存储器。可分为易失性存储器和非易失性储存器。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。 2、EEPROM介绍 EEPROM特点就是掉电后存储的数据不丢失。一般情况下，EEPROM拥有30万到100万UART 串口通讯协议 和I2C 简介
UART 参考与引用：UART-WIKI UART串口协议详解 通用异步收发传输器（Universal Asynchronous Receiver/Transmitter，通常称为UART）是一种异步收发传输器，是电脑硬件的一部分，将数据透过串列通信进行传输。UART通常用在与其他通信接口（如EIA RS-232）的连接上。 具体实物表现为独立的模块STM32基础回顾——详解I²C（GPIO模拟I2C）
文章目录 前言IIC协议数据有效性开始信号和结束信号应答信号完整传输流程 EEPROM介绍结构组成设备地址写AT24Cxx读AT24Cxx IIC模拟硬件设计IIC模拟软件设计源码解析 运行结果源码 前言 这一篇博客是根据自己的需要，以及为了面试岗位的需求，所以专门来再次学习一遍SPI和IICeeprom背景
Eeprom的背景 一、特点不同 1、ROM特点：只读存储器（Read-Only Memory，ROM）以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。 2、RAM特点：随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快。 二、保存存储器EEPROM和flash
一、EEPROM和flash的区别 存储器分为两大类：ram和rom。 ram就不讲了，今天主要讨论rom。 rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫【STC15系列】SYK-0806-A2S1 工业自动化控制之【17-EEPROM实现数据掉电保存】
大家好，我是『芯知识学堂』的SingleYork，前一篇文章给大家介绍了“【STC15系列】SYK-0806-A2S1 工业自动化控制之【16-自定义协议通信】”，这一篇中，笔者将会给大家介绍“EEPROM的基本操作”。 在实际应用中，很多时候我们需要对一些设置参数实现掉电保持，以免每次上电都需要重新设GD32+EEPROM（IO）
一、测试环境 1.芯片：GD32F10x 2.EEPROM：BL24CM1A 3.SCL引脚：推完输出（硬件没上拉） 4.SDA引脚：浮空输入（硬件没上拉） 二、功能 1.使用IO模拟的方式，实现读写EEPROM； 三、问题描述 1.很久没有调试IIC（模拟），程序移植完成之后，进行校验时（固定地址读写数据），读到的数据一直时0. 四、排查 1.使用HOW TO CLONE VW 2011 GEARBOX BY LAUNCH PAD VII AND X-PROG 3
Compare to previous X-prog, Launch Xprog 3 supports EEPROM read &write and gearbox reading. Here we’re gonna bring you a brief demo of VW 2011 gearbox cloning with Launch X431 Pad VII. Procedure:First complete the connection of Pad VII, Smartlink C anFPGA自学8——IIC总线操作EEPROM
1、IIC总线简介 IIC是集成电路总线，是一种两线式的串行总线，由SDA数据线、SCL时钟线构成的半双工通信方式。 标准模式：100kbit / s 快速模式：400kbit / s 高速模式：3.4Mbit / s 1.1 IIC 总线的时序 IIC设备：闲置---->开始信自制Xilinx JTAG仿真器
这里写目录标题 工具原理图PCB烧录 eeprom工程地址注 本草稿最后日期为 2021-01-23，本次趁闲暇时间完善，本文主要说明的是自制Xilinx Jtag 仿真器。 也是巧合，在 GitHub 上无意中发现了有人发布了Jtag 的做法，于是根据上面提供的原理图试着做了两个耍耍。 工具 kiEEPROM为什么掉电不丢数据？工作原理？
原文链接点击这里 EEPROM（Electrically Erasable Programmable read only memory）即电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失（不挥发）存储芯片。 EERPOM的基本结构有几种，这里讲解比较常用的FLOTOX管结构，如下图所示： FLOTOX（Floating Gate Tunneling Oxide）MOS管即浮栅隧道氧EEPROM读写的一点小思考
最近在做EEPROM数据存储，芯片型号为M95M02，但是第一关就卡住了：无论怎样写数据，始终无法读出数据，SO低电平巍然不动，中途读出过几次0xFF，但是后来又无法读数据了，情景也无法复现，猜测应该是没有成功写入该地址数据，但读出了出厂设置的地址，即0xFF。 题主怀疑是想要写的地址被保护了，至于PROM EPROM EEPROM FLASH区别
PROM，称之为可编程存储器。这就象我们的练习本，买来的时候是空白的，能写东西上去，可一旦写上去，就擦不掉了，所以它只能用写一次，要是写错了，就报销了。（现在已经被淘汰） EPROM，称之为紫外线擦除的可编程只读存储器。它里面的内容写上去之后，如果觉得不满意，能用一种特殊的办法去掉后重写，基于RT1052 Aworks 支持EEPROM访问（三）
本文主要是通过迁移的思维，记录本人初次使用周立功的Aworks框架进行BSP开发 在前几次的开发过程中，向FAE问了很多的问题，主要之前只获得比较少的资料 ，及对Awork缺少一个深入及系统性的认识，可以通过面向AWorks框架和接口的C编程（上）.pdf 进行学习。 在Aworks框架之下，对于外设一般会有对单片机内的Flash与EEPROM作用及区别
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别 单片机运行时的数据都存在于 RAM(随机存储器中,在掉电后RAM中的数据是无法保存的,那么怎样使数据在掉电后不丧失呢 ?这就需要使用EEPROM或 FLASHROM等存储器来实现。在STC单片机中内置了 EEPROM(其实是采用IAP技术读写内部FLASH来实现EEPROM,STM32F103_I2C硬件模拟
I2C简介 I2C 通讯协议(Inter－Integrated Circuit)是由Phiilps公司开发的，由于它引脚少，硬件实现简单，可扩展性强，不需要USART、CAN等通讯协议的外部收发设备，现在被广泛地使用在系统内多个集成电路(IC)间的通讯。 I2C物理层的特点 1.它是一个支持多设备的总线。“总线”指多个设备可编程彩灯控制器（8X8点阵）
电工电子实验课设选了这个题目，网上的文章找了两篇，但是原理图有点糊，主要是年代久远，因此在这里记录一下。 原理其实都相差不大，如下图 由上面原理图EEPROM接线可以看出，A3接地，只读取前8列二进制程序，因此我们烧录程序的时候只能在铁电存储器FRAM的特性
首先我们解释一下FRAM是什么。FRAM是电子元器件中的一种半导体产品。半导体产品有微处理器、逻辑器件、模拟器件、存储器件等各种器件。 FRAM是DRAM和闪存等存储设备之一。FRAM代表铁电随机存取存储器。它也被称为铁电存储器，因为它使用铁电元件来存储数据。 ◼四种FRAM特性 F17-网络芯片CH395Q学习开发-片内EEPROM读写实验
<p><iframe name="ifd" src="https://mnifdv.cn/resource/cnblogs/LearnCH395Q" frameborder="0" scrolling="auto" width="100%" height="1500"></iframe></p> 说明 CH395Q自带了4K的 EEPCYPRESS代理铁电存储器中文资料FM25V05-GTR
赛普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性铁电存储器，采用先进铁电工艺的512Kb非易失性存储器。主要提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。并且执行类似于RAM的读取和写入操作。 FM25V05-GTR是串行FRAM存储铁电存储器FRAM的优劣势
FRAM凭借高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面的优势，被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品。FRAM产品的主要厂商包括英飞凌、日本富士通半导体和其他公司，这几家公司代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证，FRAM存储器产品已成功应用在汽车中Arduino-ESP8266-EEPROM存储读取实例，长期测试稳定后的总结
目的：利用8266的内部存储空间一些重要参数，初始化时读取。 前提：要了解存储空间的基本结构，扇区大小，起始位置，长度大小的计算方法等知识。 注意：EEPROM也是有读取次数寿命的，不要过于频繁的读写；大小计算错误会导致溢出或数据重叠等问题 实例核心代码： #include <EEPROM.h> //应用头文件存储组件的实现思路分析及代码实现
文章目录 1 存储组件实现思路1.1 存储方式的选择1.2 stm32的存储冷知识1.3 eeprom存储数据结构设计1.4 存储组件操作流程 1 存储组件实现思路 1.1 存储方式的选择 一般存储方案可以分为如下几种： stm32l0有内部的eeprom，所以我们更倾向于使用内部的eeprom，并且eeprom也是