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《炬丰科技-半导体工艺》 深紫外 LED 应用
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：深紫外 LED 应用 编号：JFKJ-21-1187 作者：华林科 引言 在物理气相传输制备的低位错密度(< 103 em2) AlN晶片(PVT)上，研究了氢化物气相外延(HVPE)生长厚AlN层的同轴生长。由HVPE层制备的氮化铝晶片具有与PVT氮化铝晶片相同的高结构质量和深紫外《炬丰科技-半导体工艺》紫外线对 AlN 导电性的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：紫外线对 AlN 导电性的影响 编号：JFKJ-21-1175 作者：华林科纳 在活化退火过程中使用紫外(UV)照明提高了植入硅氮化铝(AlN)的自由电子浓度和电导率。 AlN具有6.1eV的超宽带隙，对于高功率和高压电子具有吸引力，在200nm波长范围内具有深紫外光电子2021-2027全球与中国氮化铝（AlN）陶瓷基板市场现状及未来发展趋势
氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。本文研究氮化铝陶瓷基板白板，常规尺寸主要是4.5*4.5、4.75*4.75、5.0*5.0、5.5*7.5，厚度一般为0.32、0.38、0.5、0.635、1.0等。为了方便统计，本文用单位“