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7N60-ASEMI高压MOS管7N60
编辑：ll 7N60-ASEMI高压MOS管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1.2Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 7N60场效应管 7N60的电性参数：最大漏7N60-ASEMI高压MOS管7N60
编辑：ll 7N60-ASEMI高压MOS管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1.2Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 7N60场效应管 7N60的电性参数：最大漏