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7N60-ASEMI高压MOS管7N60
编辑:ll 7N60-ASEMI高压MOS管7N60 型号:7N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 最大漏源电流:7A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:1.2Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如图 特性:高压MOS管 工作结温:-55℃~150℃ 7N60场效应管 7N60的电性参数:最大漏以KBL406-ASEMI为例告诉你怎样看整流桥型号
编辑-Z 整流桥型号繁多,各种型号封装命名都不一样,下面以KBL406-ASEMI为例告诉你怎样看整流桥型号,首先我们要了解整流桥KBL406的命名规则,然后从名称里可以看出重要的参数。 整流桥KBL406的命名规则 一般整流桥的名称有3个数字,第一个数字代表额定电流A;后两位数字代表额定电压(数字*KBL406-ASEMI电脑适配器等高品质产品桥堆
编辑:ll KBL406-ASEMI电脑适配器等高品质产品桥堆 型号:KBL406 品牌:ASEMI 封装:KBL-4/DIP-4 电流:4A 电压:600V 正向电压:1.1V 引脚数量:4 芯片个数:4 芯片尺寸:84MIL 漏电流:500uA 特性:单向整流方桥 工作温度:-55~+150℃ KBL406的电性参数:最大正向平均电流4A;最大反向峰值电压600V KBL406的包MUR20060CT-ASEMI快恢复模块200A 600V
编辑:ll MUR20060CT-ASEMI快恢复模块200A 600V 型号:MUR20060CT 品牌:ASEMI 封装:MUR-2 电性参数:200A 600V 电流:200A 电压:600V 操作温度:-40℃~170℃ 恢复时间:35纳秒 引脚数量:2 特性:大功率快恢复模块 产品描述 MUR20060CT-ASEMI整流二极管采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出MUR10060CT-ASEMI大功率快恢复模块
编辑:ll MUR10060CT-ASEMI大功率快恢复模块 型号:MUR10060CT 品牌:ASEMII 封装:MUR-2 电性参数:100A 600V 正向电流:100A 反向耐压:600V 引脚数量:2 恢复时间:35NS 操作温度:-40℃~170℃ 封装尺寸:如图 特性:大功率快恢复模块 产品描述 MUR10060CT的电性参数:正向平均电流100A;反向峰值电压600VGBU3506-ASEMI大功率电源专用整流桥
编辑:ll GBU3506-ASEMI大功率电源专用整流桥 型号:GBU3506 品牌:ASEMII 封装:GBU-4 电性参数:35A 600V 正向电流:35A 反向耐压:600V 引脚数量:4 封装尺寸:如图 特性:大功率整流桥 产品描述 GBU3506的电性参数:正向平均电流35A;反向峰值电压600V GBU3506的包装方式:250pcs/盒,20K/箱 GBU3506整流