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25N120-ASEMI高压MOS管25N120

编辑:ll 25N120-ASEMI高压MOS管25N120 型号:25N120 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:25A 漏源击穿电压:1200V RDS(ON)Max:0.12Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的25N120 MOS管   ASEMI品牌25N120是采用工

MOS管25N120参数,ASEMI场效应管25N120应用

编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数是:二极管连续正向电流(IF)为25A,集电极-发射极电压(VCES

25N120-ASEMI低功耗mos管25N120

编辑:ll 25N120-ASEMI低功耗mos管25N120 型号:25N120 品牌:ASEMI 封装:TO-220 电性参数25A 1200V 正向电流:25A 反向耐压:1200V 恢复时间: 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:场效应管 浪涌电流: 工作温度:-55℃~+150℃ 场效应管原理: 场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源

MOS管应用电路,ASEMI型号25N120

编辑-Z MOS管25N120最显着的特点是其良好的开关特性,因此25N120广泛应用于需要电子开关的电路中,如开关电源和电机驱动,以及照明调光。   25N120参数描述 型号:25N120 封装:TO-220 特性:高效mos管 电性参数:25A 1200V 二极管连续正向电流(IF):25A 脉冲二极管正向电流(IFM):150A 集电极-发