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FF900R12ME7B11 /FF900R12ME7WB11 900A 1200V 双IGBT模块
英飞凌1200V 双IGBT模块采用第7代发射器控制二极管、NTC和PressFIT触点技术。该IGBT模块在相同框架尺寸和避免并联的情况下具有更高的逆变器输出电流。英飞凌1200V双IGBT模块提供简单可靠的组装方式，具有高互连可靠性。 特征功率密度大出色的VCE satTvj op = 175°C过载改进端子优SIC 模块FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 150A 1200V /FF08MR12W1MA1B11概述
概述FF08MR12W1MA1B11 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优25N120-ASEMI高压MOS管25N120
编辑：ll 25N120-ASEMI高压MOS管25N120 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：25A 漏源击穿电压：1200V RDS（ON）Max：0.12Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的25N120 MOS管 ASEMI品牌25N120是采用工L26-DR模块 / GD1200SGT120A3S IGBT模块，C2M0040120D 晶体管 1200V
1、LCC外形包装Quectel GNSS模块 ：L26-DR，带GPS / GLONASS /北斗/伽利略 简介： 芯片组：特塞欧型号：L26ADR-S89应用：智能城市/工业; 跟踪器; 无线支付。等。品牌：移远外形尺寸：低成本航空公司PSTM：ST专用协议NMEA：ASCII，0183，3.01（最低）/4.10接口：UART /重置/时间脉冲/ ICC（NMEA）全球导航卫星系统：SemiQ（原GlobalPower）1200V/60A碳化硅二极管模块GHXS060A120S‐D3
SemiQ（2019年11月由GlobalPower更名为SemiQ）的1200V/60A碳化硅二极管模块GHXS060A120S‐D3已经成功应用于独立的直流快速充电站——Charge Point Express 250， 现在我们来了解一下这一产品： 该器件的主要特征 •SiC肖特基二极管 ‐零反向恢复 ‐零前向恢复 ‐温度无1200V/10A碳化硅肖特基二极管
1200V 10A 碳化硅肖特基二极管 特性 封装外形 ⚫ 最大结温为 175°C ⚫ 高浪涌电流容量 ⚫ 零反向恢复电流 ⚫ 零正向恢复电压 ⚫ 高频工作 ⚫ 开关特性不受温度影响 ⚫ 正向导通电压 V为正温度系数F 应用 ⚫ 太阳能升压器 ⚫ 逆变器续流反并联二极管 器件编号 封