首页 > TAG信息列表 > 10N60
10N60-ASEMI高压MOS管10N60
编辑：ll 10N60-ASEMI高压MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的10N60 MOS管 ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片10N60-ASEMI高压MOS管10N60
编辑：ll 10N60-ASEMI高压MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的10N60 MOS管 ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片